基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计.pdfVIP

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  • 2017-09-08 发布于北京
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基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计.pdf

维普资讯 第29卷 第 5期 半 导 体 罕 于嗄 V O1.Z J O.0 2008年 5月 JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS M av,2008 基于0.8mBCD工艺的20WX2集成 D类音频功放设计* 刘帘曦 朱樟明 杨银堂 过 伟 史 斌 (1西安 电子科技大学微 电子学院,西安 710071) (2宽禁带半导体材料 与器件教育部重点实验室,西安 710071) 摘要 :基于0.8mBCD工艺完成 了一种具有高转换效率 的20WX2立体声集成音频功率放大器 .该放大器可在 18V 电源 电压下以全桥输 出的方式向8n负载提供超过 20W 的功率,其转换效率可达 85%以上 .介绍 了功率输 出级、过流保护电路 以及高性能轨.轨比较器的设计 ,并基于横向双扩散 MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失

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