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第一章 半导体二极管和三极管 第一章 半导体二极管和三极管 §2 半导体二极管 一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 利用Multisim测试二极管伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 三、二极管的等效电路 2. 微变等效电路 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 讨论：解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？ 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ 【练习1】 ：  判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。 【练习2】 ：下图是二极管限幅电路，二极管D的正向压降可忽略不计，ui = 6 sin? t V， E= 3 V，试画出 uo 波形 。 课堂练习： P 67 三 ；P69 1.2 五、稳压二极管 六、变容二极管 （a）符号 （b）结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度） 七、肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 八、光电子器件 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 小结 二极管的主要特性:单向导电性 二极管的伏安特性曲线。 二极管的三种等效模型。什么情况下应选用二极管的什么等效模型？ 二极管工作状态的判断？ * 杨君玲 junlingyang@126.com §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。 面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 温度的 电压当量 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 2. 伏安特性受温度影响 T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移 正向特性为指数曲线 反向特性为横轴的平行线 增大1倍/10℃ 理想 二极管 近似分析中最常用 理想开关 导通时 UD＝0截止时IS＝0 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 导通时△i与△u成线性关系 应根据不同情况选择不同的等效电路！ 1. 将伏安特性折线化 ？ 100V？5V？1V？ Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 第四版——P20 判断二极管工作状态的方法？ 【解】 在ui正半周,且ui E时， D导通，uo =E = 3 V； 在ui正半周，但ui E 及 ui 负半周时，D 均截止， uo = ui 。 D E 3V R ui uo + ? + ? ? t ? t ui / V uo /V 6 3 3 0 0 ? 2? ? 2? –6 1. 伏安特性 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 2. 主要参数 稳定电压UZ、稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电流的限流电阻！ 限流电阻 斜率？ 由于制造工艺的不同，其反向击穿电压一般比普通二极管低很多（普通二极管为数百伏，一般硅稳压管为几伏至几十伏）。 （1）工作在反向击穿状态，即伏安特性曲线中的第三象限。 稳压管的工作特点: （2）反向击穿是可逆的，当去掉反向电压时，稳压管恢复正常。 （3）反向击穿特性曲线很陡。 （4）稳压管在使用时要串联适当数值的限流电阻，防止造成热击穿而损坏。 含稳压管电路的分析: （1）施加正向电压，稳压管（PN结）处于导通状态； （2）施加反向电压且小于反向击穿电压，稳压管处于截至状态； （3）施加反向击穿电压，稳压管处于稳压状态。 【练习3】 图中通过稳压管的电流 IZ 等于多少？R 是限流电阻，其值是否合适？ IZ