同时具有隔离层和场板4HSiC MESFET特性优化研究.pdf

有隔离层和场板。隔离层用来抑制表面陷阱，场板用来提高击穿电压，两者都有 非常好的效果。但是尚没有研究将上述两种结构结合起来，使得器件能够抑制表 面陷阱获得高的输出电流并且可以得到高的击穿电压。 本文针对器件的表面陷阱所带来的器件性能的退化，同时把隔离层和场板同 时引入器件结构，不仅达到了抑制表面陷阱的效果，并且提高了击穿电压；通过 优化二者的参数，提高了器件的输出电流和击穿电压。本文首先利用二维器件仿 真软件ISE．TCAD建立了4H．SiC MESFET器件的结构模型和物理模型。根据对传 统4H．SiC MESFET结构的基本直流工作特性中输出特性、转移特性等特性的分析， 确定了基本模型和研究方法。其次，从器件的输出特性和转移特性两方面对表面 陷阱的影响进行了研究，并结合实际确定了使得器件性能退化最大的表面陷阱的 隔离层掺杂浓度、厚度和隔离层中的埋栅深度进行了优化和无陷阱的理想状态进 度为为0．059m。在这组优化参数下进行仿真，表面陷阱效应得到有效抑制，且引 入的寄生参数较小，器件的直流性能得到大幅度的提高。相对于有陷阱的传统结 最后，在隔离层上引入场板结构，分析其对器件的直流特性的影响。分析其对器 件击穿电压提高的机理，从而说明场板与隔离层之间不存在相互的影响。经优化 场板的长度，可以提高器件的击穿电压约60％。 关键词：4H—SiCMESFET隔离层场板表面陷阱 l～——’———— researchfieldofsemiconductor．Asthe ofSiC the intrinsic material，now property high surfacestatesandinterfacestatesare inthe manufacturedSiC prevaiemsuccessfully MESFET thedevice currentdecline microwave output sharply power devices，making devicesworkedat and inDCcharacteristics．whenis Instability high-frequency,current current iscausedsurfacestatesandinterfacestates．At collapse by ofisolationandfield arethemainmethodsusedto technologies layer plate improve device isusedto thesurface is performance．Isolationlayer suppress traps，fieldplate usedtoincreasethebreakdown have very voltage，both good studieshavetocombinethesetwo thedeviceto the yet struc