CaCu3Ti4O12高介电材料的研究现状与发展趋势.pdfVIP

第 28卷 第 1期 硅 酸 盐 通 报 V0l_28 No．1 2009年 2月 BULLETIN 0F THE CHINESE CERAMIC S0CIETY Febmary，2oo9 CaCu3Ti4o12高介电材料的研究现状与发展趋势 李 含，邹正光，吴 一，龙 飞 (桂林工学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室，桂林 54loo4) 摘要：cacu，Ti0 (ccT0)介电陶瓷材料以其高介电常数、高热稳定性和强烈的非线性等优异性能，在科学研究和 实际应用中成为当前介电材料领域研究的热点。本文综述了迄今为止介电常数最高的 ccT0钙钛矿体系介电陶 瓷材料的相关进展，介绍了几种制备方法，评述了ccT0高介电陶瓷的掺杂改性和复合的研究现状，并对其发展趋 势作了展望。 关键词：cCT0；制备工艺 ；掺杂；复合 中图分类号：TB34 文献标识码：A 文章编号：10ol—l625(2oo9)01_o1216 ResearchesandDeVel0pments0fHighDielectricM aterialCaCu3Ti4Ol2 LIH6m，zoU zheng—gunng，WU Yi，LoNG F (K。yLablr【atory0fNewProcessjng chn0J0gyf0rN0 丌(JusMetalsandMat a】s， Ministry0fEducati0n，GuilinuniversityofTechn0logy，(ilin541oo4，China) Abstract：CaCu3Ti4O12(CCTO)dielectricceramichaVebeenattractinggreatattenti0nworldwidefrom theViewpointofhigherdielectricconstant、thennalstability andn0nlinearbehaviours．In thispaper，the highdie1ectricceramicofCCTO cemmicinpemVskitestmcturearesummarizedandtherecentpr0gresses 0ftheceramicsaregeneI’allyreviewed．Itisp0intedoutthatdopingmodificationandc0mp0und0fCCTO ceramicsarebeingwidelystudiedintemational1y，prepareationtechniqueanddieleetcpI0lpeniesanalysis aI．ealsosummarized．Finally，itisn0tedthattheCCT0 highdielectricceramicsarep0tentialcandidates． Keywords：CCT0；pI_epareationtechnique；d0ping；c0mposite 1 引 言 随着微 电子技术市场对陶瓷电容器和微波介质元件等实用型器件微型化、集成化、智能化的需求，介电 陶瓷的研究越来越受到人们广泛的重视…，特别是在动态随机存储器(DRAM)中有着广泛的应用前景。为 了顺应 DRAM 向高密度存储发展的要求，研究者们由最初对简单化学构成和结构的部分一元金属氧化物的 发现 ，到相继转移 目光对多元氧化物材料进行研究 ¨ 。 2Oo0年 subramanian以及他的工作小组最早发现的具有 巨介电常数的CaCuTi0 铁电陶瓷材料，并于 2O00年 3月3日首次在 JoumalofSolidStateChemistry上发表报道了这种材料具有非常高的介电常数 (常 温、1kHz频率下达 10)，较高的热稳定性，cacuTi0 的单晶和陶瓷样品都具有非常大的介电常数，比现有 的多元氧化物的介 电常数都要高许多 ’。’。对这种材料的巨介 电特性产生机理方面己经进行了较多的研 基金项