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2.3 晶核长大规律 宏观上:晶核的界面向液相中逐步推移。 微观上:液相中的原子移动或扩散到成核晶体的表面,并按照晶体点阵的规律由不规则到规则排列的过程。 液态金属原子扩散迁移较容易,影响晶核长大的主要因素是晶核表面牢固的接纳原子的能力。 1. 液态界面的微观结构 (a) 微观光滑界面-原子尺度 (b) 微观粗糙界面-原子尺度 平滑型 粗糙型 S/L界面S相的微观结构应当是“界面能最低的结构”,假设固液平衡时,界面能最低的时候的微观界面为平滑界面,向界面上任意增加原子,光滑界面向粗糙界面发展,这时界面能的变化 (ΔGS)可表示为: α.....杰克逊因子取决于材料; k…. 波尔兹曼常数; Tm…熔点; N.....界面上原子位置数目; χ…..界面固相原子所占位置的比例数。 当α取不同数值时,χ与ΔGS间存在如下关系: (1)对于α≤2的曲线,在x=o.5处界面能具有极小值,即界面的平衡结构应是约有一半的原子位置被固相原子占据而另一半位置空着,此时界面呈粗糙界面。(大多数金属) (2)对于α≥3时,在x靠近0处和靠近1处界面能最小,说明界面的平衡结构应是只有几个原子位置被固相原子占据或者极大部分原子位置都被固相原子占据,即界面为基本上完整的晶面,这时界面呈光滑界面。(有机物和无机化合物) (3)α为2~3,处于中间状态,情况较为复杂,其界面形式常属于混合型。(大多数类金属) 无论光滑还是粗糙均为能量最低的结构。 2. 晶核长大机制 (1)垂直长大机制(粗糙界面) 垂直长大机制 为界面推进速度及方向 界面上约有一半的结晶位置空着,可随机接纳从液相过来的原子。粗糙界面上所有位置接纳液相原子的能力相同,液相的原子可以连续的、垂直的向界面添加原子,不破坏粗糙度,使界面迅速向液相推移。 长大速度快,所需过冷度小,大多数金属以这种机制生长。 (2)二维长大机制(光滑界面) 首先在光滑界面上形成一些二维晶核,原子靠二维晶核所形成的台阶与晶核连接实现二维晶核的扩展。此为理想长大方式需较高的形核功,故长大速度较慢。 二维晶核台阶长大机制示意图 螺位错台阶机制示意图 螺旋长 大的SiC 晶体照片 (3)晶体缺陷长大机制(光滑界面) 在界面上存在螺位错的露头,可能在晶体表面形成台阶,液相原子沿台阶不断依附长大,每铺一层原子,台阶向前移动一个原子间距,使台阶围绕位错旋转,最终晶体表面形成由螺型台阶形成的生长曲线。 3. 晶体生长的形态 b.负温度梯度: a. 正温度梯度: 液—固界面前沿液相中的温度分布: 随界面向液相推移 x?,ΔT?, T? 。 随界面向液相推移 x?,ΔT?, T? ; (a) : 纯金属凝固时的 生长形态取决于 液—固界面的微观结构(内因) 界面前沿液相中的温度分布(外因) 1.在 长大特点: 结晶潜热只能通过固相散出, 相界面的推移速度受固相传热 速度所控制。 2.光滑界面材料:通过台阶扩展而生长,随x ?, △Tk ?,υ?,并受小平面长大的制约,以“小平面长 大”方式长 大长成“规则的几何外形”。 (1) 正温度梯度下生长的界面形态 3.粗造界面材料:按“垂直生长”机理而长大,界面处的小凸起,随着x ?, △Tk ? ,υ ?,晶体生长以接近平面状向前推移,最后长成“平面状”。 S/L界面 V 界面推进速度及方向 垂直长大机制 小凸起 平直化 (2) 负温度梯度下生长的界面形态 1.在 长大特点: 相界面上产生的结晶潜热既可通过固相、模壁、液相两个方向而散热; 相界面的移动不再为固相的传热速度所控制。 2. 粗糙界面材料: 各晶轴具有一定的晶体学 方向,如:fcc、bcc各轴 相互垂直,均为100方向。 按“垂直生长机理”生长时, 随着x?△TK?,Vg? x ?,从 而形成一次晶轴,二次晶 轴在二次轴上再长出三次 晶轴…..,以“树枝状方式生 长”长成树枝状晶体。 界面前沿液相的温度分布 与晶体生长形态 (a)负温度梯度 (b)树枝状生 3.光滑界面材料 因随x的增大,△TK?,Vg?。受界面形貌(小平面)的影响, 分以下两种情况: ①α值较小的材料,为树枝方式长大,长成带有小平 面的树枝晶; ②α值较大的材料,小平面长大,长成保持小平面特 征的规则外形。 纯锑表面的 带有小平面 的树枝晶 4. 晶体长大速度 晶体长大速度与界面微观结构、生长方式等多种因素有关。一般光滑界面比粗糙界面的长大速度要慢得多,光滑界面以二维长大方式生长时长大速度最小,光滑界面以螺型位错等缺陷台阶长大方式生长时次之
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