第三章半导体三极管及其放大电路基础3.140169.pptVIP

相应地, 将集电极电流与发射极电流的变化量之比, 定义为共基极交流电流放大系数, 即 故 显然β与β, α与α其意义是不同的, 但是在多数情况 下β≈β, α≈α。 例如, 从表3-1 知, 在ＩＢ＝００３mA附近, 设ＩＢ由００２mA变为００４mA, 可求得 静态电流放大倍数 静态电流放大倍数，动态电流放大倍数 ? = IC / IB IC = ?IB 动态电流放大倍数 IB ： IB +? IB IC ： IC +? IC ? = ? IC / ? IB 一般认为： ? = ?= ?，近似为一常数，?值范围：20~100 ? IC = ? ? IB 四、三极管的特性曲线(内部载流子运动的外部现） 三极管共发射极特性曲线测试电路 四、三极管的特性曲线(内部载流子运动的外部现） 三极管的特性曲线：表示三极管各电极电压与各电极电流之间的关系曲线。它描述三极管的外特性。 由其在具体电路中的接法→二端口网络→ 输入回路（uBE,iB的关系) 输出回路(uCE,iC的关系) 1.输入特性：当ＵＣＥ不变时, 输入回路中的电流ＩＢ与电压ＵＢＥ之间的关系曲线称为输入特性, 即 图 3 - 三极管的输入特性 1）输入特性IB 与UBE的关系曲线同二极管的伏安关系曲线 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V 工作压降： 硅管UBE ? 0.7V 2）在相同的uBE下，当uＣＥ变化到uＣＥ≥1后，各输入特性曲线基本上重合并稳定。 原因： （1）uCE=0时：b、e间加正向电压， JC和JE都正偏， JC没有吸引电子的能力。所以其特性相当于两个二极管并联PN结的特性。uCE=0V： 两个PN结并联 (2) uCE介于0~1V之间时，JC反偏不够，吸引电子的能力不够强。随着uCE的增加，吸引电子的能力逐渐增强，iB逐渐减小，曲线向右移动。 0uCE1V:uCE增加，iB减小 (3) uCE1V时，b、e间加正向电压，这时JE正偏， JC反偏。发射区注入到基区的载流子绝大部分被JC收集，只有小部分与基区多子形成电流iB。所以在相同的uBE下，iB要比uCE=0V时小。 uCE1V： iB比uCE=0V时小 2.输出特性：当iＢ不变时, 输出回路中的电流iＣ与电压uＣＥ之间的关系曲线称为输出特性, 即 图 3 - 三极管的输出特性 2.输出特性(iC与uCE的关系曲线) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 40?A 60?A Q Q’ ? = IC / IB =2 mA/ 40?A=50 ? = ? IC / ? IB =(3-2)mA/(60-40) ?A=50 ? = IC / IB =3 mA/ 60?A=50 其中每一条曲线规律： 1）0＜ uCE ＜1：发射结正向偏置，集电结正向偏置 2）uCE≥1：发射极正向偏置，集电结反向偏置 3）曲线略向上倾斜 具有恒流特性 总体曲线规律：iC=βiB 给iB一定值，相对应有一条iC曲线。充分体现iB对iC的控制作用，即体现晶体三极管的放大作用。 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压,，称为截止区。 (1) 截止区:一般将iＢ≤０的区域称为截止区, 图中为ＩＢ＝０的一条曲线的以下部分。 此时iＢ＝０, iＣ≠0, 而是等于穿透电流ICEO。一般硅三极管的穿透电流小于１μA, 在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。值很小近似 iＣ≈0。 特点：A 不符合iC=βiB关系，因而此时三极管没有放大作用。 B 为使三极管可靠截止，须使两个PN结均处于反向偏置状态。因为当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, iＣ→0。对ＮＰＮ三极管, ＵＢＥ＜０, ＵBC＜０。 C 三极管输出回路用KVL列方程有uCE=uCC－iCRC , 因iＣ≈0， uCE≈uCC ，说明RCE≈∞,三极管C、E两点之间呈高阻状态，相当于开关断开状态。 (2) 饱和区：输出特性曲线垂直上升部分与纵轴之间的区域。 出现饱和区的原因：当ＵＣＥ较小时ＵCE＜ＵBE，发