ZnO薄膜和ZnO紫外探测器.pdfVIP

浙江大学硅材料国家重点实验室 2002年6月 摘 要 Zn0是一种多用途的材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件， 体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极等。近年来，ZnO作为宽带 6C， 半导体材料的的研究越来越受到们的重视。ZnO薄膜的生长温度一般低于700 、-—，—__’‘-、…一 较低的阈值功率和很高的能量转换效率；Zn0有较高的激子复合能(60meV)，激 子在室温下仍然不会分解，理论上有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备 出较好性能的探测器、LED和LD等光电子器件。 ‘●—‘+’’—‘‘一 f浙江大学硅材料国家重点实验室是国内最早从事ZnO薄膜研究的课题组之 ～一∑ 一，在叶志镇教授的带领下，我们用反应磁控溅射法制备出高度c轴择优取向 的ZnO薄膜，对ZnO薄膜的纳米柱状结构作了深入研究，并在国内首次报道了 用磁控溅射方法在硅衬底生长的ZnO薄膜在室温下的荧光发射，对ZnO薄膜的 研究处于国内领先水平。， ， 本文较全面了阐述了ZnO薄膜的各种生长技术及其原理，并概括了薄膜研究 的最新进展。用直流反应磁控溅射的方法生长了高度C轴择优取向的ZnO薄膜， 仪(SRP)、吸收光谱、Hall测试仪等方法对ZnO薄膜的结构和性能进行了表征。 系统地概括了各生长条件如衬底温度、溅射功率、溅射气氛和溅射压强等参数对 ZnO薄膜的影响。本文还研究了高温退火对ZnO薄膜的表面形貌、内应力和缺 陷的影响，并对其内在的机理进行了探讨。在溅射气氛中引入NH3，成功地制备 的影响。 ／作为ZnO薄膜在实际应用方面的尝试，我们用PLD方法在硅衬底上生长高 ～质量的ZnO薄膜，在薄膜上制备了MSM光导型紫外探测器，并对探测器的伏 安特性和光响应进行了测试。实验发现，金属Al与ZnO能形成很好的欧姆接触， 探测器在5v的偏压下有明显的紫外光响应，在紫外光波长的响应度为0．5AJW≥ff 二， 塑坚查堂壁塑型里窒重生壅墼皇 一一一————————二塑垒至j!旦 Abstract has isusedin isamaterialthat ZincOxide many wave acoustic sensors，varistors， acoustic devices(BAW)，Gas devices(SAW)，bulk SO recent awideband electrodesandon．In years，ZnO，aS semiconductor, transparent successful moreandmore with most has GaN，the gained attention．Compared at has wide-bandsemiconductormateria