Cdx%2fCdS-SiO2复合薄膜的电化学—溶胶凝胶法制备及其非线性光学性能研究.pdf

Study on Preparation of Cd /CdS-SiO x 2 Composite film by Electrochemistry-sol-gel Method and its Nonlinear Optical Properties A Thesis Submitted to Chongqing University in Partial Fulfillment of the Requirement for the Doctor ’s Degree of Engineering By Qing Shenglan Supervised by Prof. Xian Xuefu Ass. Supervised by Prof. GU Min Specialty: Safety Technology and Engineering College of Resources and Environmental Science of Chongqing University, Chongqing, China April 2013 中文摘要 摘 要 CdS 基材料具有优良的三阶非线性光学性，并且制备简单、性能稳定，在光 通讯、光信息处理等方面具有广阔的应用前景，可应用于矿山安全监测、信息传 输等方面。电化学-溶胶凝胶法结合了溶胶凝胶法和电化学沉积的优势，能够方便 地制备出高质量的薄膜材料。论文采用相同的镉源，不同的硫源，通过溶胶-凝胶 法制备了两种复合溶胶。分别以两种复合溶胶为电解液，采用电化学方法在 ITO 导电玻璃基底上制备了高透明的 Cd /CdS-SiO 复合薄膜。不同硫源的选取可改变 x 2 溶胶中镉源的存在形式，使镉源转变为CdS 或仍保持为Cd2+ ，从而达到改变复合 薄膜组成的目的，希望能提高薄膜的三阶非线性光学性。通过对薄膜微观形貌和 组成的表征，对薄膜的光学性质、厚度的测试，和对薄膜的三阶光学非线性的分 析，取得了如下成果： ⑴ 以硫代乙酰胺为硫源，以硝酸镉为镉源，以正硅酸乙酯为硅源，通过溶胶 -凝胶法制备了CdS-SiO2 复合溶胶。采用循环伏安法研究了溶胶的电化学行为，分 析表明复合溶胶在配制过程中硫代乙酰胺已将Cd2+全部转化成了CdS，Cd 元素以 CdS 的形式进入薄膜。以硫脲为硫源，以硝酸镉为镉源，以正硅酸乙酯为硅源， 通过溶胶-凝胶法制备了Cd2+-SiO2 复合溶胶。循环伏安分析表明，电化学沉积时溶 胶中有Cd2+ 的还原反应，CdS 通过Cd(NO ) 和CS(NH ) 共沉积生成。通过改变硫 3 2 2 2 源，溶胶的组成及其电化学行为发生了改变。 ⑵ SEM-EDS 表征表明，两种复合薄膜均由互相掺杂的100 nm ×10 nm 和25 nm ×10 nm 的纳米束组成，薄膜组成元素为 Si、Cd、S、O 。XRD 表征表明两种 复合薄膜均含有CdS，以硫脲为硫源制备的复合薄膜中有金属镉掺杂。综合CV 实 验、EDS 和 XRD 表征结果，分析认为以硫代乙酰胺为硫源制备的复合薄膜为 CdS-SiO2 复合薄膜，以硫脲为硫源制备的复合薄膜为Cd/CdS-SiO2 复合薄膜。成功 通过对硫源的改变调控了薄膜的组成。 ⑶ Cd /CdS-SiO 复合薄膜在300 nm~1100 nm 范围内透射率高、反射率低、 x 2 对光具有弱的吸收。通过台阶仪测量得到CdS-SiO 复合薄