新型PST铁电薄膜的制备及其性能研究.pdfVIP

摘 要 PbSc0. 5 Ta0. 5O3 (简称为PST) 铁电薄膜与常用热释电材料相比 具有很高的热释 电系数 高的介电常数 低的介电损耗 热释电探测优值可以提高数倍以上 器件比 较简单 兼容性好 并可与半导体器件集成等特点 它是制备铁电薄膜非制冷红外焦 平面阵列 UFPA 和铁电微型致冷器的优选材料 成为研究的热点之一 本文研究了PST 铁电薄膜的 Sol-Gel 制备技术 讨论了溶胶-凝胶工艺条件对薄 膜的微观结构和性能的影响 为PST 铁电薄膜制备和器件的开发奠定了基础 用改进的 Sol-Gel 技术在 Pt/Ti/SiO /Si 基片上制备出 PST 铁电薄膜 以乙醇钽 2 Ta(OC H ) 醋酸钪 Sc(OOCCH ) xH O 和醋酸铅 Pb(OOCCH ) 3H O 2 5 5 3 3 2 3 2 2 为原料 乙二醇独甲醚 CH OCH CH OH 为溶剂 研究了不同的热处理温度和时间 3 2 2 对 PST 薄膜的晶相结构和性能的影响,制备出无裂纹 致密性好 晶粒尺寸分布均匀 的PST 薄膜 对制备出的PST 铁电薄膜进行了XRD 和扫描电镜分析 分析表明制备出的PST 铁电薄膜杂相很少 薄膜无裂纹 致密性好 晶粒尺寸分布均匀 650 850 的RTA 条件下得到的结果表明 制备PST 薄膜的最佳工艺条件为 RTA750 15min 或800 5min 研究出通过在PST 薄膜与基片之间引入PT 种子层的方法 为PST 薄膜结晶提 供了晶核 有效改善PST 薄膜在基片上成核生长和降低结晶温度 同时进行了介电性能 铁电性能和热释电性能的测试 得出了 PST 薄膜的 -f r 曲线 tg -f 曲线 r-T 曲线 C-V 曲线 P-E 特性曲线 I -V 曲线和J-E 曲线 采用 -4 -2 -1 简化的Byer-Roundy 方法测试出PST 薄膜的热释电系数峰值为7.4 10 Cm K PST -5 1/2 薄膜的器件优值为2.7 10 Pa 关键词 PST 铁电薄膜 非制冷红外焦平面阵列 Sol-Gel 技术 XRD 分析 扫描电镜分析 热释电系数 ABSTRACT PbSc Ta O (PST) has higher pyroelectric efficient, higher dielectric constant, lower 0.5 0.5 3 dielectric loss and higher detecting merits than other common pyroelectric materials, PST has the advantages of ambient temperature operation, low power consumption, low in-service costs, low weight and compactness. PST has been widely used in uncooled infrared focal plane arrays (UFP