0.18微米CMOS工艺低功耗标准单元库的开发与验证.ppt

华杰0.18微米单元库关键技术难点分析 单元库关键技术难点分析 单元库关键技术难点分析 华杰0.18微米单元库关键技术难点分析 华杰0.18微米单元库关键技术难点分析 华杰0.18微米单元库技术创新点 华杰0.18微米单元库管理提升点 上海华杰芯片技术服务有限公司 HuaJie Tech Aug., 2005 * * Huajie Tech 0.18 微米CMOS工艺低功耗标准单元库 的开发与验证 “奋发有为，奉献华虹”主题活动上半年回顾 华杰0.18微米单元库的目标概述 0.18 微 米 C M O S 标 准 单 元 库 开发与上海华虹NEC电子有限公司新工艺相匹配的、具有低电压、低功耗的0.18微米CMOS标准单元库。 项目主要性能指标： －基于华虹NEC0.18微米工艺的前端设计库和后端设计库； －相应的技术文档与说明； －标准单元库，包含808个标准单元； －ESD 2000V包含IO单元75个各二套； －超低工作电压：标准单元1V ～ 2V，IO单元1V ～ 3.6V； －基本保持最终用户原有的设计流程不变； －达到国际主流0.18微米CMOS单元库的功能； －小于国际主流0.18微米CMOS单元库的面积； －达到国际主流0.18微米CMOS单元库的性能； －小于国际主流0.18微米CMOS单元库的功耗； 驱动能力 驱动能力的大小来自于芯片中平均连线长度及所期望的工作频率。单元的驱动能力用来承担连线及单元输入级负载，其中如果增大驱动能力，可能会引起此单元输入负载的增加。 P/N比率 对数字电路来说，首先要求是总延时要小，其次才是上升/下降延时平衡。调整P/N比率以使上升、下降的延迟和最小。 P/N比率还关系到噪声容限，必须保证足够的噪声容限，以防止外来干扰、片内信号干扰、电源/地噪声及芯片内部压降引起的噪声容限变小。 单元面积的优化及布线密度 P/N比率、驱动能力与面积密切相关，这三者的兼顾是单元库设计的重点。 布线密度取决于金属层宽度及间距，但最优的布线密度未必带来最优的单元面积。单元宽/高是某一布线步长的整数倍，需调整步长值以取得面积和布线密度的平衡，此需要总结多种设计中各单元的使用频率。 0.18微米工艺面向的是百万门级的电路。与0.25微米不同的是，往往芯片面积受限于连线的布通率，其次才是单元的面积。因而在定义布线的水平/垂直方向的步长时，需优先考虑提供更多的布线资源。 触发器的设计 Setup/Hold时间的平衡及负的Hold时间 设计单Q端输出的单元 低功耗单元的设计 针对低功耗芯片的设计及普通设计中总是存在低工作频率模块，设计各种功能单元类型的低功耗单元；允许同一个设计中采取不同的工作电压以降低非关键路径上的功耗；使用门控时钟避免不必要的翻转。 单元数量的确定 分析各种设计以获取所需建立的单元类型。 提供更多不同驱动能力的单元以适应时序调整/面积优化的要求 结合库的可建立性、可维护性确定单元数量。 ESD / Latchup的设计 芯片级ESD/Latchup的设计指导。 标准单元中阱/衬底连接的方式将影响单元面积及抗Latchup效果。 工艺可扩展性的设计 设计时涵盖工艺的变化，使单元能工作在Logic/ MixedMode/ FLASH制程，完成的设计也能很容易地转移到其它同等工艺水平的代工厂。 低电压的设计 超低工作电压：标准单元1V ～ 2V，IO单元1V ～ 3.6V 支持各种流行EDA软件 华杰公司的库提供针对各种流行EDA软件的数据类型，充分满足不同设计公司的需要。 华杰公司提供针对不同EDA软件的参考设计流程及参考命令文件。 模型的设计 目前线性列表模型不能完全满足设计需要，华杰公司提供的模型会根据单元特性曲线的变化斜率先行选取列表的点，以最大可能描述单元真实的特性。 标准单元库 0.18um 单元库数量和种类 标准单元的数量（808个功能单元）和种类（141种）均超过了同类国际主流单元库。 单元库在面积、速度和功耗方面实现了总体优化 本单元库达到了国际主流单元库同样的性能指标，尤其专注于低压低功耗的优化，在优化芯片功耗方面表现更佳。 兼容HHNEC低功耗工艺 本单元库能工作在HHNEC0.18微米标准工艺上，同时单元库的设计也兼顾到HHNEC0.18微米低功耗工艺。 支持当前主流EDA工具及主流设计流程 在华虹NEC的工艺条件下使用该单元库能够基本保持其它 FOUNDRY用户原有的设计流程不变。 标准单元库 0.18um 优化、完善现有的单元库设计及QA流程 优化、完善现有的单元库测试芯片验证平台 提升单元库开发及验证