VB-GaAs晶体生长技术研究.pdfVIP

摘要 本课题的开展，通过工艺优化，提高了晶体材料电参数和结构参数的均匀性， 降低了位错密度，减小了孪晶生成的几率，这样就降低了VB-GaAs晶体的生长成 本。 本课题从以下四个方面开展了工作： 1、VB-GaAs晶体生长热场设计，建立晶体生长所需的稳定热场系统，减小生成 孪晶的几率。 通过对vB工艺晶体生长界面处热量输运的动力学原理和热量输运与固液界 面关系的分析，我们了解到，由于GaAs晶体生长为过冷生长，热场内的结晶前 沿需要一定的纵向温度梯度，同时，由于热场内存在热对流、热辐射，使得热场 的热分布不均匀，致使热场的径向温度分布不均匀，晶体生长过程中就会有热应 力的产生，其结果是导致了晶体中位错、晶格缺陷的产生，对器件的性能产生影 响。因此对热场的优化设计及调整，选择合理的温度分布曲线是晶体生长能否成 功的关键。 2、开展高精度控制引晶位置研究，提高引晶成功率。 我们在vB单晶炉上从籽晶井的上下两端各引出一路热偶信号。在移动埚位， 即选择不同的引晶温度梯度时，通过这两个热偶信号就可确定引晶位置。籽晶熔 化程度的控制也将对引晶能否成功、成晶率的提高及降低位错密度会产生一定的 影响。 3、开展固液交界面形状研究，优化工艺参数，降低晶体位错密度。 生长界面的形状可以反映热场的现状。我们通过调整单晶炉的热场结构、高 低温区的温度设定，即通过改善热场温度分布来改善生长界面，并且辅以对生长 速率的控制，使其达到或接近较理想的生长固液界面。经过工艺优化，成晶率有 了很大的提高。 4、开展计算机热场模拟研究，通过对VB-GaAs晶体生长炉的热场模拟分析，提 高材料参数均匀性。 将VB工艺中炉体结构、支撑结构、生长容器相关参数输入计算机软件分析 系统，通过计算机对热场的模拟，探索提供理想热场的各个重要因素。 参数均匀性孪晶 ABSTI认CT Inthis GaAs were study,theprocessesduring crystalgrowthoptimized．We to the ofthe inelectricalandstructure attemptedimproveuniformitycrystal dislocation the of and parameters，lowerdensity,decreaseopportunitytwin—crystal thecost． saving Four ofworkswerecardedout： aspects of fieldforVB．GaAs．Astable field was l、Designationtemperature temperature set forthe isalsothe factorforthedecreasethe up crystalgrowth,whichkey twin—crystal． the kinetic at of ofthermaltransmissiontheinterface Throughanalyses theory betweensolidand the betweenthethermaltransmissionand liquid．andrelationship the knowthatthe ofGaAsiSa interface，we crystalgrowth