添加剂MPS作用下铜电沉积的研究.pdfVIP

添加剂MPS 作用下铜电沉积的研究 * 钟琴，辜敏 （重庆大学资源及环境科学学院，重庆，400044, E-mail: gumin66@ ） 超大规模集成电路（VLSI ）互连工艺中铜的电沉积在国内外都已经有大量的研究，研究表明为 了实现铜在芯片亚微米级刻槽中的超等角填充，添加剂是很关键的。目前采用的有机添加剂主要包 括促进剂，如聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)或者 3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS) ，和抑制剂，如聚乙二醇 (PEG)；有的还包含少量的整平剂[1] 。促进剂在铜的电沉积中有着很重要的作用，国外对于促进剂 MPS对铜电沉积的影响作用已经有一定的研究。在酸性镀铜液中，MPS单独作用时对电沉积起抑制 作用[2] ，但是对于MPS对于铜的电结晶的成核机理的研究很少。本文主要采用循环伏安 (CV) 、线性 电位扫描（LSV ）和计时安培 (CA) 电化学方法和电镜扫描（SEM ）法对促进剂MPS作用下铜的电化 学行为进行了研究。 电化学实验均在CHI660 电化学综合测试仪上进行，采用三电极体系，研究电极为玻碳电极 （GCE ），辅助电极为大面积的铂