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動電位陽極沉積法製備錳氧化物薄膜及其 
擬電容行為* 
Pseudo-capacitive Properties of Manganese Oxide Films as Prepared  
                                                 * 
by Potentiodynamic Anodic Deposition 
                                                    1                 2                 3 
                                                   
                                                  1                  2                  3 
                                        Y.T. Hsiao        C.H. Liang        C.S. Hwang 
                                               It  is noticeable that  a  sup ercapacitor  has  such 
                                           a high  st ability  and  sp ecific  capacit ance  (SC)  that 
       are deemed as most  suitable for  a backup  device for 
       electronic product s. Manganese oxide is one of the 
         promising electrode materials for the supercapacitor. 
       Th is  stu dy  tr ied  t o  pr ep ar e  the  m anganese  oxide 
       f ilm s  u sin g  p ot ent iody n am ic  an odic  dep o sit ion 
        under  differ ent  dep osit ion  r at es. We  u sed  R am an 
     Raman FE-SEM   scatt er ing  sp ectr a  and  a  f ield-em ission  scann ing 
       electr on  m icr oscopy  (FE - SEM)  t o  det er m in e  th e 
     0.1M Na SO            25   microstructures  and  chemical  comp osition s  of the 
                       2  4 
        m an gan e se  ox ide  f ilm s .  Th e  p seu do - cap acit ive 
       p r op er t ie s  of  t h e  m an g an e se  ox id e  f i lm s  w er e 
         determined by cyclic voltammetry  (CV) in the range 
                      - 1                                                        ○ 
     100 mVs             0.0-1.0V  (vs. SCE) in  0.1M Na SO            solution  at 25  C. 
                                                                   2  4 
     2 19 Fg- 1   The porous and nano fiber  structures were obtained 
     (600  mVs- 1)    for the manganese oxide film deposited at a deposition 
    
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