Si量子点的研究进展.pdf.pdfVIP

%# 第 卷 第 期 年 月 ! ! #$$ ! !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 自组装!# $% 量子点的研究进展! 黄昌俊 余金中 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电国家重点联合实验室，北京 !#$ 摘要 回顾与总结了该实验室对自组装 （ ）量子点的近期研究进展 着重介绍了生长在 *6; . ! 8 （ ）衬底上的 量子点的形貌演变过程；多层 量子点的结构分析； 量子点结构的光学电 . ! *6 *6 *6 学性质的表征；以及提高 量子点尺寸和分布均匀性的各种方法 *6 8 关键词 量子点 $%! 材料 $% 基光电子学 近年来，使用.*6; . 异质结构运用能带工程来 和*6; . 间大的带阶偏移，可制作单岛列的B@C；JJ 实现新的功能器件以弥补 常规器件的不足，引起 型的带边结构对界面不对称性的增强，可获得 . .*6 ［ ］ 了人们的极大兴趣! = $ 8 利用.*6 异构材料，一些 材料的大的光学非线性效应8 新的 基器件已相继被开发出来：如 异质结双 . .*6 ! 量子点形貌演化 极晶体管（ ）、高电子迁移率晶体管（ ）， ?@ +A@ .*6 多量子阱红外探测器、 共振隧穿二极管（ ）和 .*6 B@C 当 薄膜生长在 表面上时，由于 键要 *6 . *6*6 负微分电阻场效应晶体管（ ）等 其中利用 D+BE+@ 8 比 键弱，因此 具有比 小的表面能，满足浸 .. *6 . 的 工艺已经进入实用阶段 由于 .*6 ?@ ?.FAG 8 润条件； 与 之间 的晶格失配使得在 薄膜 *6 . H 8%I *6 与 的晶格常数相差 ，在异质外延 应变 *6 . H 8%I .*6 超过一定厚度以后，平坦的生长表面不再是能量上有 层时，常常会遇到表面起伏或岛状生长，有害于材料 利的形貌，因此*6 薄膜将以标准的O5-29P.Q5-9O-2KR 质量 但是，自从 年人们证实无位错的 岛以 8 !’’ *6 （ ；先层后岛）模式生长 一般 生长过程可以简单