超大规模集成电路的一些材料物理问题（Ι）3.pdfVIP

超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ι)3 ) ) ) ≤∏互连和金属化 刘洪图 吴自勤 中国科学技术大学物理系 合肥 中国科学技术大学天文和应用物理系 合肥 摘 要 世纪初 超大规模集成电路 的特征尺寸将由 逐代缩至 文章以 器件为主 ≥ ≥ 简要介绍与互连相关的一些材料物理问题 其中包括 互连 金属化及低介电常数介质 ≤∏ ! 关键词 超大规模集成电路 互连 金属化 ≤∏ ΣΟΜΕΙΣΣΥΕΣΟΦΤΗΕ ΜΑΤΕΡΙΑΛΠΗΨΣΙΧΣΦΟΡ ΥΛΤΡΑΛΑΡΓΕΣΧΑΛΕΙΝΤΕΓΡΑΤΙΟΝ ) ) ) ΧυΙΝΤΕΡΧΟΝΝΕΧΤ ΜΑΤΕΛΛΙΖΑΤΙΟΝ( ) 2×∏ ΔεπαρτμεντοφΠηψσιχσ ΥνιϖερσιτψοφΣχιενχεανδΤεχηνολογψοφΧηιναΗεφει Χηινα •2 ΔεπαρτμεντοφΑστρονομψΑππλιεδΠηψσιχσ ΥνιϖερσιτψοφΣχιενχεανδΤεχηνολογψοφΧηιναΗεφει Χηινα Αβστραχτ ∏∏≥ ≥√¬∏∏ √√∏≤∏ Ε2 Κεψωορδσ ≥≤∏ 耗时达 年之久 于 年提出新的技术发展规 划 表 给出了这一技术规划的部分指标 各技术时 引言 代的特征尺寸是⁄ 的线间距的Π比微处理器 半导体工业的显著特点之一就是它能够在几十 的多晶硅栅长度要稍大一些 根据这一指标 ° 年内始终保持着性能 价格比的空前的增长 自 器件的特征尺寸将缩至 年的 这种器件 Π 世纪 年代以来 超大规模集成电路 的性能 特征尺寸按比例缩小所带来的好处是显而易见的 ≥ 的改善主要是通过器件特征尺寸 多晶硅栅长度 的 但实现规划所提出的指标的技术途径在许多情况下 按比例缩小来实现的即在硅芯片上放置更多的晶 特别是后面的各技术时代 尚不十分清