硅单晶Czochralski法生长全局数值模拟Ⅱ.质量传递特性.pdfVIP

v01．18 第18卷第2期 材 料 研 究 学 报 No．2 20O CmNESE 0O4 4年4月 April2 II．质量传递特性 李友荣 阮登芳 彭岚 吴双应 (重庆大学) 摘 要 使用有限元方法对炉内的质量传递过程进行了全局数值模拟。研究了硅单晶azochral日ki(Gz) 法生长时氧传输的基本特性．结果表明；在小型硅Cz炉中．晶体中的氧浓度主要取央于熔体的流型和气 相传质速率；安装在热医的气体导板可有救强化气相传质系数井改变熔体的瘴型，M缸an90Ⅱi效应可将 自由界面处低氧浓度的熔体带至结晶界面，