国产VDMOS辐射效应研究.pdfVIP

二、微电子与元件可靠性 国产VDMOS辐射效应研究 刘刚，王立新，韩郑生，夏洋 中国科学院微电子研究所北京 100029 摘要：本文对国产抗辐照VDMOS钢源辐照试验结果和制作工艺做了分析，深入研究了SEB和TID的杌 理，给出了大功率VDMOS抗单粒子辐照的加固方法，为新卫星电源分系统的可靠性研究打下良好 基础。 关键词：VDMOS，单粒子烧毁，电离总荆量，辐射 中图分类号：TN386；V443文献标识码：A RadiationofDomesticVDMOS on Effects StudySpace Liu Gang，WangLixin，HanZhengsheng，XiaYang InstituteofMiereelectronicsinChinese 100029 Academy。fSciences．Beijing this fabrication and252Cf$Oulteirradiationeffect0IIdomesticradiationhardenedVDMOS Abstract：In technology paper，the the methodsofVDMOS眦intro- mechanismofSEB radiationhardened 邮analyzed，then andlid晰investigated．Atlast，the to ofsatellite duped．andthismethodsa他fundantental reliability powersystem． Key words：VDMOS．SEB，TID，Radiation 1 引言 随着我国的航天事业的发展，一些新型的长寿命GEO卫星采用了IOOV高压母线的太阳能电池阵，而出 于对卫星电源的控制和调节的目的，在新卫星的电源分系统中，不可避免地需要使用一些大功率VDMOS，由 于采用了高压的一次电源母线，这些器件相应地具有较高工作电压，当它们遭受空间高能质子或重离子的 轰击时，发生单粒子烧毁和单粒子栅击穿效应的可能性，比采用低电压一次母线的情况大大提升了。在以 往低电压电源母线卫星上，对SEB的研究需求较弱，基本上只开展了初步研究。卫星的长寿命就要求功率 VDMOS能承受更高总剂量的电离损伤，而在目前我国卫星已开始采用高压电源母线的形势下，迫切需要全 面、深人地开展SEB和TID的机理、试验、加固设计、评估等多方面的研究[1]。 给出了大功率VDMOS的辐照加固方法。 2单粒子烧毁(SEB)和总剂量(TID)机理 VDMOS开启时工作在大电流下。关用时可以承受大电压。空间辐射环境的重离子引起的丝流驱动寄生 的BⅡ工作，固有的寄生BYr的反馈机制决定了寄生BJrr瞬态电流不断增加，直至器件烧毁。如图l中VD- MOS的源区、体区及漏区分别构成了BJT的发射极、基极和收集极。因为在工艺上源区、体区共用金属化电 极，形成基极一发射极短路。所以在VDMOS正常工作时，寄生的BJT是关闭的。引。 9 图2额定电压100V器件单粒子辐照试验结果 图l v。M。s的剖面结构及sEB位置示意图 可以观察到明显的单粒子烧毁(SEB)现象”’。 ：戮徽鹭爱耥一 4曲C叫辐射源模拟TⅢ实验 ≤◆◆墓一 『q产抗辐照VDMOS在漏电A呵做了^量工艺和设计改进，漏电流的变化虽然抑制丁，导自电阻基本没有堑 化但是平衡磁场的场