PN结光生伏特效应光谱特性的研究.pptVIP

PN结光生伏特效应光谱特性研究（实验六） 实验概述 基本原理 实验系统 实验步骤 数据处理 实验重难点 实验概述 光生伏特效应是半导体中重要的物理效应,只要有内建电势存在就会产生此效应。 光伏效应是太阳电池和多种光伏敏感器件的物理基础，测量光伏响应特性的方法有直流法和交流法。本实验采用直流法测量。 实验目的：通过硅电池直流法光谱响应测量及其数据处理，掌握其实验方法，体会影响光伏效应的种种因素，以增强实验研究能力。 实验原理 一. 光电池的基本结构 1 如右图，面积为2×2cm2，这种结构是为提高光电转换效率而设计的． 2 栅型电极是为了增加光注入 3 减反射膜厚度为光谱响应峰值波长的1/4，目的是减少硅表面光反射损失．反射膜折射率为: 4 层(向光面),厚度0.3um左右,近似为P-N结深度. Pn结为浅结是为了提高电池高能光谱效应． 实验原理 二.光谱响应 半导体GaAs和Si对各种不同波长λ的光的吸收系数α有如图所示的分布. 势垒区两侧一个扩散长度范围内光产生的电子-空穴对