低覆盖度的Au／GaN（0001）界面的同步辐射研究.pdfVIP

维普资讯 第 54卷 第 8期 2005年 8月 物 理 学 报 Vo1．54，No．8，August，2005 1000．32908)，3793—06 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2005Chin．Phys．Soc． 低覆盖度的Au／GaN(0001)界面的同步辐射研究* 邹崇文 孙 柏 王国栋 张文华 徐彭寿 潘海斌 徐法强 尹志军 邱 凯 ”(中国科学技术大学 国家 同步辐射实验室 ，合肥 230029) (中国科学院固体物理研究所 ，合肥 230031) (2004年 11月 1日收到 ；2005年3月 10日收到修改稿) 利用 同步辐射光 电子能谱研究了低覆盖度 Au在 GaN(0001)表面的初始生长模式，肖特基势垒高度以及界面的 电子结构 ．结果表 明，Au沉积初始阶段有界面的化学反应 ，随后呈三维岛状生长 ．由光 电子能谱实验确定的肖特基 势垒高度为 1．4ev．通过对界面价带谱和 Au4f芯能级谱 的分析 ，确定了界面化学反应的存在 ．利用线性缀加平面 波方法计算 了GaN(0001)和 Au的价带态密度并分析 了化学反应产生 的机理，认为在初始阶段界面形成 了Au—Ga 合金 ． 关键词 ：同步辐射 ，光电子能谱 ，Au／GaN欧姆接触 ，态密度 PACC：7155D，7320A，7340N，7360D 了界面 Au—Ga合金的形成机理 1．引 言 2．实验过程 GaN是一种典型的第三代 宽禁带半导体材料 ， 一 直受到人们 的广泛关注 ¨j．作为重要 的半导体 光 电子能谱试验是在合肥国家同步辐射实验室 材料 ，由于其独特 的光学和 电子学性质而在短波 、高 二期工程的表面站进行的 ．实验站配备的是从英国 功率和高频光 电器件方面有着重要的应用 ．好 VG公司引进 的ARUPS10型高分辨光 电子能谱仪 ， 的欧姆接触是制造高质量器件的前提 ，目前人们 已 它可以进 行光 电子能谱 、俄歇谱 、低 能 电子衍射 经能够在工艺上实现 GaN基材料 的欧姆接触 ，但是 (LEED)和反射式高能 电子衍射 (RHEED)实验 ．有一 对这种金属 ／半导体界面初始形成 阶段 的金属沉积 个分子束外延 (MBE)生长室与分析室相连 ，能够在 模式、肖特基势垒 以及界面 的电子结构仍然不是十 超高真空下制备样品并进 行原位实验研究 ．光束线 分清楚 ． 能量范围为 10—200ev，可以根据需要选取光子能 金属半导体欧姆接触的形成依赖于金属在半导 量 ．光束线单色器分辨率 (E／AE)在 1000左右 ． 体表面的沉积模式 ，而对于 Au在 GaN(0001)面的生 GaN样品是在 白宝石衬底上利用 MBE方法制 长模 式 尚未 定 论 ，二 维 和三 维 的生 长 都有 报 备的，在 200am厚的 A1N缓冲层上生长大约 700am 道 ．另一方面，尽管人们对 Au／GaN(0001)界面 厚的GaN外延薄膜 ．将 GaN样品在无水酒精 中超声 进行了不少研究 ，但是利用 同步辐射对其低覆盖度 清洗约 10min，然后用去离子水浸泡清洗 ，最后用氮 和生长初期的界面研究还未见报道 ． 气吹干传人样品室．对样品进行表面处理，氩离子溅 本文通过同步辐射光 电子能谱 (SRPES)原位研 射和 600℃退火循环进 行 ．处理后用 x射线光 电子 究了低蒸发速率和低覆盖度 的Au／GaN(0001)界面 ， 谱测试 ，发现表面的 c和 O峰消失 ，可以看到清晰 根据 Ga