SiO2%2fSiC界面悬挂键磷钝化的第一性原理研究.docVIP

第十六ｌ全■化奢袖半－俸．截坡薯ｌ竹巾光电鼍件掌术●．ｔｋ 投稿分类号：Ｅ１）  Ｓｉ ０２／Ｓ ｉ Ｃ界面悬挂键磷钝化的第一性原理研究 张立平，江滢，李文波，王德君 （大连理工大学电子信息与电气Ｔ程学部电子科学与技术学院。 辽宁大连１１６０２４） 摘要：采用基于密度泛函理论（ＤＦＴ）广义梯度近似（ＧＧＡ）下的第一性原理方法系统地研究了不同覆盖率下Ｐ原子在４Ｈ－ＳｉＣ （０００１）Ｓｉ向的吸附特ｒ｝！。总能和电子结构计算结果表明．Ｐ在４Ｈ－ＳｉＣ（ＯｏｏＤ Ｓｉ面的稳定吸附位为二三蕈面心立方（ｆｃｃ）洞位，吸附 能随着覆盖率的增加而减小，覆盖率为Ｉ／３ＭＬ时，Ｐ吸附町以有效消除ｓｉ悬挂键导致的带隙态，进而降低Ｓｉ０２／钮一ｓｉＣ界面态 密度。 关键词：第一性原理，Ｓｉ０２／ＳｉＣ界面，悬挂键，磷钝化 中图分类号：ＴＮ３０３ 文献标识码： 文章编号：  Ｆ ｉ ｒｓ—ｐｒ ｉ  ｎｏ  ｉ Ｐ Ｉ ｅ—ｂａｓｅｄ  Ｉ ｎｖｏｓｔ ｉ ｇａｔ ｉ ｏｎ  ｏｆ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ Ｐａｓｓ ｉ ｖａｔ ｉ  ｏｎ ｏｆ ４Ｈ－Ｓ ｉ Ｃ Ｓ ｉ Ｉ．ｏｏｎ－Ｆａｏｅ Ｄａｎｇ Ｉ．ｎｇ Ｂｏｎｄｓ Ｌｉｐｉｎｇ Ｚｈａｎｇ，Ｙｉｎｇ Ｊｉａｎｇ，Ｗ色ｎｂＯ Ｌｉ，Ｄｅｊｕｎ Ｗａｎｇ （ｓｅｈｏｏｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｍｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴ