低温生长GeSi超晶格界面结构同步辐射研究.pdfVIP

_______________________________________________________________________________ 低温生长的Ge/Si 超晶格界面结构的同步辐 射研究 1 1 2 2 吴小山 蒋树声 吴忠华 丁永凡 1 南京大学固体微结构物理国家重点实验室，微结构物理高等科学技术中心，南京大学物理系，南京210093 2 中国科学院高能物理研究所，国家同步辐射实验室，北京100039，中国 摘要 本文利用X射线方法研究了低温生长的Ge/Si超晶格的界面结构与生长Ge 亚层厚度的关系。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si在Ge/Si界面有 化学组分的混合。X射线反射及横向漫散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈 反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构； 这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一 个相对合理的粗糙度。由于Ge与Si之间很小的扩散常数，我们认为Ge/Si界面处 不可能相成均匀的GeSi合金层，可能是由于局部应力的释放导致局部岛状或沟槽 状结构。而改变角而进行的X射线散射研究表明，这种混合SiGe是量子点结构。 关键词： 同步辐射X射线镜面反射和散射；SiGe/Si超晶格；低温分子束外延生长 1 引言 纳米结构的Ge/Si超晶格或SiGe合金由于其优异的光电特性近年来受到人们的 [1～5] 0 青睐 。高温下 （500-700C）用Stranski-Krastanov方法生长的三维Ge团簇结构（或纳 [6] 米结构，3D-Ge hut）通常出现在Ge层的上方 。近年来，国立台湾大学分子束外延生长小 [7] 组用MBE方法改变Stranski-Krastanov生长模式在低温下生长了Ge/Si超晶格 。低温下 生长的Si/Ge超晶格的结构不同与高温生长的Si/Ge超晶格的表面结构，原子力显微镜及扫 描电子显微镜未观测到在Ge湿层上的突起 （“hut”）结构。是什么原因产生了Ge层的平整 [8] 表面呢？扩展X射线吸收限精细结构 （EXAFS）研究表明 ，在Si/Ge的界面处Si与Ge的 原子混合可能是形成平整表面及释放晶格应变的根本原因。本文利用X射线镜面反射和横向 散射方法进一步对这种低温生长的 Si/Ge超晶格的界面结构进行研究，Ge亚层上、下表面 粗糙度的强烈反对称表明Ge是单方向扩散的，透射电子显微镜的衬度相证明了X射线散射 的结果。 2 实验 实验所使用的样品在国立台湾大学凝聚态中心用分子束外延技术生长。样品结构如下： 0 0 p型 （001）Si衬底 （表面经800C高温去氧化处理），700C下先沉积300-500Å 的Si缓 0 0 0 冲层，缓冲层的生长温度为450C，随后在260C和450C温度下分别交替生长6个周期的 Ge/Si双层膜。样品中Si亚层生长厚度约为500Å，而Ge亚层的厚度约为38Å。 X射线镜面反射及横向散射实验北京同步辐射衍射站上进行。测量参数为：选择X射线 2 0 能量为8900 eV，入射狭缝AS=0.110 mm；接受狭缝为0