第3章 半导体中载流子统计分布.pdf

3 第 章半导体中载流子的统计分布 本章重点 �计算一定温度下本征和杂质半导体中热平 衡载流子浓度及费米能级的位置； �探讨半导体中载流子浓度、费米能级等随 温度和杂质浓度等因素变化的规律。 �计算载流子浓度须掌握以下两方面的知识 �允许的量子态按能量如何分布 �电子在允许的量子态中如何分布 �热平衡态 �一定的温度下，由两种相反的过程（产生和复合） 建立起动态平衡状态 3.1状态密度 �状态密度 dZ g(E) = dE �计算步骤 k �计算单位 空间中的量子态数； �计算单位能量范围所对应的k空间体积； �计算单位能量范围内的量子态数； �求得状态密度。 3.1.1 k空间中量子态的分布 � L 对于边长为 的立方晶体 �k = n /L (n = 0, ±1, ±2, …) x x x ± ± … �k = n /L (n = 0, 1, 2, ) y y y �k = n /L (n = 0, ±1, ±2, …) z z z �K 空间中，电子的允许能量状态密度为V （考虑到同一量子态最多可以容纳两个自 2V 旋方向相反的电子，所以也可以用 表示） k空间状态分布 3.1.2 状态密度 � E(k) k 导带底 与 的关系 2 2 h k E(k) = E + c * 2m n �能量E~(E+dE)间的量子态数 2 dZ= 2V×4πk dk �可得 1 1 * * 2 2 (2m ) (E− E ) m dE k= n c ,kdk= n2 h h �代入可得 3 * (2m ) 2 1 n 2 dZ= 4πV (E− E ) dE h3 c �导带底附近状态密度 3