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第 13卷，第8期 电 子 与 封 装 总 第124期 VOl l3， NO．8 ELECTR0NICS PACKAGING 2013年8月 ⑩ ⑧ ⑧⑧④ 辨 湿法刻蚀应对圆片减薄后翘曲问题的探讨 李云海，张益平 (无锡中微高科电子有限公司，江苏 无锡214035) 摘 要 ：随着微 电子产业的发展，圆片直径越来越大、厚度越来越薄。一些本来不被关注的问题逐 渐凸现 出来。当150mm、200mm甚至300mm的圆片被减薄到200pm或者200 m以下时，圆片本身 的刚性将慢慢变得不足以使其保持原来平整的状态。文章从 圆片减薄后产生翘曲的直观表象入手， 分析 了产生翘曲问题的根本原因，采用湿法刻蚀的方式去除 了圆片因减薄形成的背面损伤层，改善 了圆片减薄后 的翘 曲问题 。 关键词：圆片；翘曲；背面损伤；湿法刻蚀 中图分类号：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：1681—1070(2013)08—0034-03 TheResponseofW arpingProblem afterW aferGrindingbyW et-etching LIYunhai，ZHANGYiping (WuxiZhongWeiHigh—techElectronicsCo．，Ltd．，Wuxi214035，China) Abstract：Withthedevelopmentofmicro—electronicindustry，thediameterofwaferisbecominglarger andlarger，andthethicknessisbecomingthinnerandthinner．Someproblemswedidnotconcern originally，gradually standoutnow．When siliconwafersin 150mm，200mm，oreven300mm are groundto200 gm orevenlessthan200Ixm，therigidity oftheirownwillnotbestrongenoughto keepthestraightstatusoftheoriginalformation．Thispaperstartsfrom theappearanceofthewarping problem afterwafergrinding，analyzesthebasicreasonwhichcausedthewapr issue，andremovesthe backsidedamagelayerbythewet-etchingtech，thusimprovesthewarpingproblem aftergrinding． Keywords：siliconwafer；wapring；backsidedamage；wet—etching 性及稳定性至关重要的一步。 引言 2 翘曲产生的原因及应对方法 传统工艺中，减薄工艺仅需将圆片减薄至350pm 或350gm以上的厚度。为了不断适应半导体产业的 2．1 翘曲产生原因 发展需求，圆片直径越来越大，当150mm、200mm 由于 目前主流的减薄工艺为磨削工艺，其本身就 甚至300mm的圆片被减薄到2o0gm甚至200gm以下 是一种施压、损伤、破裂、移除的物理性损伤工艺， 时，圆片本身的刚性也将慢慢变得不足以使其保持 硅片在减薄过程中通过磨轮与硅片的表面接触磨削， 原来平整的状态。圆片减薄后的翘 曲问题，是后续 不断从晶体表面剥离