国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究.pdfVIP

中国核科学技术进展报告（第一卷） 核电子学与核探测技术分卷 Progress Report on China Nuclear Science Technology （Vol.1 ） 2009 年11 月 国产VDMOS 器件总剂量辐射损伤及 退火效应研究 1,2,4 1,2 1,2 3 1,2,4 1,2 高 博 ，余学峰 ，任迪远 ，刘 刚 ，王义元 ，孙 静 , 文 林1,2 1,2,4 1,2,4 ，李茂顺 ，崔江维 (1. 中国科学院新疆理化技术研究所，新疆 乌鲁木齐 830011 ； 2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆 乌鲁木齐 830011 ； 3. 中国科学院微电子研究所，北京 100029 ； 4. 中国科学院研究生院，北京 100049) 摘要：研究了不同辐射偏置条件下国产N 沟VDMOS 器件的总剂量辐射损伤及退火效应。探讨了阈值电压、击穿电 压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系。实验表明：随着累积剂量的增加，阈值电压负向漂移， 但变化在规定的范围内，退火后得到部分恢复；击穿电压变小，在退火后得到很好的恢复，但 100℃退火时，在漏 加偏置电压的条件下，发生了所谓的“击穿蠕变”现象；漏电流发生漂移，但变化很小，漏电增大得到了很好的改 进；导通电阻在辐照及随后的退火实验中无明显的变化。 关键词：VDMOS ；总剂量；辐射效应；退火效应 VDMOS 器件是垂直导电的双扩散功率器件，它的这种结构使其具有高输入阻抗、低驱动功率、 高开关速度、热稳定性好，尤其是抗辐射能力强等特点，同时它还具有负的温度系数，没有双极晶 体管所谓的二次击穿，这些使得VDMOS 器件在航空航天、军事、核环境等不同领域的应用越来越 广泛[1] 。 众所周知，由于空间存在大量的带电粒子及射线，当VDMOS 器件用于空间电子系统时，器件 的性能会受到影响，严重时甚至可能导致功能失效，从而影响卫星的可靠性及其寿命。辐照导致的 氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷造成VDMOS 器件电参数发生变化，如出现阈值电压的漂移、击 穿电压的减小、漏电流的增加以及跨导的降低等。这些电参数的变化一方面与辐照累积剂量有关， 另一方面也与辐照时所加的偏置条件有关。 本文对中国科学院微电子所研制的N 沟VDMOS 器件在不同辐射偏置条件下的总剂量辐射损伤 及退火效应进行研究，讨论了器件的击穿电压BVDSS 、阈值电压VGS(th) 、漏电流IDSS 、导通电阻RON 等随累积剂量、退火时间的变化关系。试验结果表明：随着累积剂量的增加，阈值电压向负向漂移， 但变化在规定的范围内，在退火后得到恢复；击穿电压变小，在退火后得到了很好的恢复,但在 100℃ 退火时，发生了所谓的“击穿蠕变”现象；漏电流发生漂移，但变化很小，漏电增大得到了很好的 改进；导通电阻在辐照及随后的退火实验中无明显的变化。通过对VDMOS 器件在不同辐照偏置条 件下的总剂量辐射损伤及退火效应进行研究，对该国产器件工艺和设计的进一步改进，具有一定的 参考作用。 1 样品和实验 实验样品是中国科学院微电子所使用抗辐射加固工艺研制的条形栅N 沟VDMOS 器件，击穿敏 作者简介：高 博（1983—），男，俄罗斯族，新疆米泉人，博士研究生，微电子学与固体电子学专业 165 [2] 60 感点位于衬底和P 区交接的PN 结处 ，如图1 所示。电离辐照实验是在我所7 万居里的 Co γ 射线源上进行的，辐照累积剂量达