GaN器件结构与二维电子气关系的研究.pdfVIP

第十五届全国化合物半导r体．鞠L波器件和光电量I件掌术会议 P017 GaN器件结构与二维电子气关系的研究 郑惟彬，孔月婵，陈堂胜，陈辰 (单片集成电路与模块国家重点试验室，南京，210016) 摘要：在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上，本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程， 数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算，不仅研究了GaN眦MT器件中势垒层A1组分比、势垒层厚度和掺杂浓 度对2DEG的影响，而且还研究了A1NSpacer层对2DEG的影响；给出了GaN异质结构中2DEG分布、面密度、能带结构的变化 关系。这将有助于Ga．NIIEMT器件的结构设计。 关键词：氮化镓，自发极化，压电极化，二维电子气 -1一图分类号： 文献标识码： 文章编号： TheReI ati onshi i nGaNDevi Pof2DEGandstructure ces