Fe3O4（100）STO（100）薄膜的制备及磁输运特性研究.pdfVIP

2013矩 8月 三 明 学 院 学 报 Aug．2013 第 30卷 第 4期 J0URNALOFSANMING UNIVERSITY V0l_30 No．4 Fe304(IO0)／STO(1oo)薄膜的制备及 磁输运特性研究 黄思俞 。王宗篪 (三明学院 机 电工程学院，福建 三明 365004) 摘要 ：采用脉冲激光沉积方法，以烧结的Fe304为靶材，在 STO(IO0)基底上制备 了Fe304(100)薄膜 。xRD和 AFM 显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁 电阻进行测量，薄膜为负磁 电阻，且在Verwey转变温 度 (约 120K)时磁 电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中栽流子浓度随着温度的降低而减小，ln(，I)与 1／T基本呈线性关 系，符合半导体热激活模型，迁移率随着温度的降低而减小，说明在薄膜 内存在大量 电离杂质中心。薄膜磁滞回线中 较高的饱和磁化场，说明薄膜中APBs密度较低。 关键词 ：Fe304薄膜；磁 电阻；霍尔效应 ；磁滞回线 中图分类号：0469 文献标识码 ：A 文章编号 ：1673—4343(2013)04—0034—05 PreparationofFe304(100)／STO(1OO)ThinFilm andItsMagneto TransportCharacteristics HUANGSi一丫u。ⅥrANGZong—ehi (DepartmentofElectromechanicalEngineering，SanmingUniversy，Sanming365004，China) Abstract：EpitaxialFe304(100)thinfilmsweredepositedonSrTiO3(100)substratesbyPLD，usnigsinteredFe304poly- crysmllnietarget．XRD andAFM resultsdemonstratethego0dflatnessna dpurephaseofhteepitaxialhtin fil1．Thefill showsanegativemagnetoresistancewithamaximumathteVerweytransformtemperature (120K)．Carrierdensityofhte fill calculated右mHalleffectresultsdecreasewiththetemperaturelowering．In )hasalniearrelationwith1／Tbasic，in accordancewitllsemiconductorhtermalactivationmode1．Themobiliyt decreaseswithhtetemperaturelowering．demonstrat- inghtehighionizedimpuritydensityinhtefil1 ．Thehi}ghsaturationfieldddeucde from htemagnetichysteresisusggestshte lowAPBsdnesiyt inhtefilm． Keywords：Fe304fill ；magnetoresistance；halleffect；magnetichysteresis 具有高 自旋极化率的半金属磁性材料，由于其新型的能带结构和广泛的应用价值，近年来得到 广泛关注，是 自旋电子学领域中最热门的研究之一[1-3】。半金属材料是一种磁性材料，其中某一 自旋 方 向电子呈金属导电性 。而另一 自旋方 向电子呈绝缘体特性 。根据能带理论的计算和实验结果[61， FeO。是一种半金属材料，具有 100％ 的自旋极化率和高达 850K的居里温度 ，成