RSI挥发热力学及..(最新).docxVIP

重结晶碳化硅陶瓷烧成中碳化硅的显著挥发现象、热力学条件及对蒸发凝聚的影响 孙洪鸣 沈阳星光技术陶瓷有限公司 沈阳110144 辽宁省碳化硅陶瓷工程研究中心 1 前言重结晶碳化硅陶瓷是将多种级配高纯度α-SiC微粉经成型、干燥，最后在真空烧结炉的条件下高温烧结，微粉在大约2300℃以上经蒸发—凝聚（结晶）烧制成陶瓷制品。其高温力学性能优异、耐氧化、抗腐蚀，是目前得到广泛应用的一种高温结构材料。重结晶碳化硅陶瓷在烧成中其关键是控制蒸发—凝聚过程，而在高温烧成中，碳化硅已有分解挥发，且挥发与碳化硅蒸发共存，在真空和微正压烧成这一复杂的系统中，如何抑制不利因素，实现碳化硅的适度蒸发—凝聚，从而保证重结晶碳化硅陶瓷的质量和各种理化性能。在生产和研发的实践中我们进行了深入研究，本文就是从烧成实践的现象入手进行试验和课题研究，热力学计算分析，在此基础上进行综合分析，并得出结论。2 试验 试验用烧成设备：FCT 100/150/2500 — LA 德国进口超高温真空试验烧结炉，最高烧成温度可达2500℃；原料选用国内某厂家提供的碳化硅微粉D50约1﹒3μm ,粗碳化硅粉D50约130μm 碳化硅含量99﹒5%—99.85%,试验烧成样品选择注浆成型，尺寸10×10×150㎜，料浆制备选择A、B两种结合剂，最高烧成温度2430℃3 试验结果与现象 试验结果发现与正常采用国外优质微粉烧成的试样表观有区别。烧成后发现石墨炉腔中沉积有大量结晶片，碳化硅试样棱角处及顶部也有较多相同的结晶片，此时碳化硅试样表面发黑，当用硬质物刮试样表面层时，有一层附着黑粉末，对此都取样做电镜分析。 图 1 取自烧结炉石墨腔内沉积的晶片ElementWt%At% C K28.5648.31 SiK71.4451.69 表1沉积晶片的元素含量 图2沉积晶片EDX图谱图3 试验炉烧成后重结晶试样表面层黑物质ElementWt%At% C K80.1390.41 SiK19.8709.59 表2表面层黑物质元素含量图4 表面层黑物质EDX图谱 除以上分析外，又对烧结后试样进行扫描电镜分析和国内原料成分荧光分析其结果如下：SQX计算结果样品：DLF分析日期：2010.7分析方法：XRF光谱定性E-20C模式：厚样平衡组分：　匹配库：　　文件：0713显No.组分结果单位检测限元素谱线强度1Si79.2277wt%0.0294Si-KA1029.88092C20.4106wt%0.1811C-KA6.33553Fe0.1192wt%0.0027Fe-KA2.19724Al0.1008wt%0.0041Al-KA1.86485Cr0.0619wt%0.0059Cr-KA0.47596Ca0.0328wt%0.0017Ca-KA0.36897Mg0.0257wt%0.0084Mg-KA0.52938Ni0.0132wt%0.0022Ni-KA0.44299Na图形wt%0.0106Na-KA0.0562图5 试验用国内碳化硅粉料XRF荧光分析结果图6烧结试样的SEM300倍图片4 、试验结果的分析与讨论4 ．1 检测结果与讨论 根据扫描电镜和能譜分析结果可以看出石墨坩鍋中沉积的结晶片为碳化硅晶片，而试样表面附着的黑粉末层主要为碳。对试样表面及断口电镜扫描分析发现尚有碳化硅细颗粒未完全蒸发，结晶仍不完整。我们认为在2400℃以上烧成，且保温时间足够的条件下结晶不完全，可能与原料有关，经对碳化硅原料的荧光分析看到碳化硅原料纯度低，特别含有的微量元素杂质Fe、Al、Cr、Ca、Mg、Ni与进口优质碳化硅粉料比相差很大，含量几乎都差10倍左右，普遍偏高，总杂质含量0、3536%，而国外进口优质原料总杂质0、1756%，低于国内料的50%。由于过量杂质和烧成工艺的特殊条件的存在而导致在重结晶碳化硅的烧成中碳化硅颗粒的分解，当分解达到一定程度就影响重结晶的蒸发与凝聚，图6可以看到本试验蒸发凝聚不完全的试样，说明在此试验的条件下碳化硅的分解已经影响到蒸发凝聚的过程。4 ．2热力学计算与分析 在烧成中纯度较高的 αSiC半成品坯体，其在2400℃以上是否有分解挥发的可能性？其高温化学分解式如下: SiC（s） ＝ C(s) ＋ Si(g) (1)具体热力学数据见表3 热力学数据表 表3 热力学参数Si(g)C(s)SiC(s)Н°т－Н52635 118811 S°т215.00648.07 116.129 Φ′т195.839 28.57672.125 △H°f298450617 0－73220 根据标准吉布斯自由能关系式有： △Go2700＝△Ho298 — T △ф′2700＝450617 + 73220 – 2700