低频模拟电路1章.ppt

机电学部电子与通信教研室 1.处理与传输信息的回路－－电路。 电子线路由R.C.L及半导体器件或电子管等电子元器件组成2.电子线路的划分： 5.若干蓬勃发展的研究方向 纳米电子学 教材和主要参考书籍： (1) 熊年禄等，低频模拟电路，武汉大学出版社，2008.2 (2) 谢嘉奎等，电子线路 （线性部分 第四版） 高等教育出版社，2002.2 小结 正向偏置：扩散运动大于漂移运动 反向偏执：漂移运动大于扩散运动 少数载流子是由本征激发产生的，当管子制成后，其数值就取决于温度，而几乎与外加电压VR无关。在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，此时的反向电流IR就是反向饱和电流IS 4）PN结的反向击穿 反向击穿 分类：雪崩击穿和齐纳击穿 这两种击穿是可逆的，当夹在稳压管两端的反向电压降低后，管子仍然可以恢复原来的状态。前提是反向电压和反向电流的乘积不超过PN结容许的耗散功率。 热击穿 2). 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。例如2AP1最高反向工作电压规定为20V，而实际反向击穿电压可大于40V。 以上均是二极管的直流参数， rD为其交流参数。二极管主要应用于整流、限幅、保护等等。 二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子的参数。在使用时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压，否则管子容易损坏。 五. 晶体管的微变（h参数）等效电路 1）输入端等效： 本章小结 1.半导体元件中有两种载流子:电子和空穴。将P型、N型半导体接触在一起时,交界处形成一稳定的PN结。PN结加正向电压时,正向电阻很小,呈导通状态；加反向电压时,反向电阻很大,成截止状态。 2.二极管核心是一个PN结。单向导电性是二极管的基本特征。 3.半导体三极管是一种电流控制器件。发射极正偏、集电极反偏时,可通过IB控制IC。 4.场效应管是一种电压控制器件,利用改变UGS的大小来改变导电沟道的宽窄,达到控制ID的目的。 5.半导体元件的特性可使用万用表进行测量。 作业及练习 1. 什么叫本征半导体、P型半导体和N型半导体?比较它们的导电情况。 2. 使PN结正偏的方法是：将P区接（高 ）电位，N区接（ 低 ）电位。 3.温度升高二极管的导通压降将（B ），反向电流将（A）。 A.增大 B.减小 C.不变 4.某放大电路正常工作时，测得 UB =1.5V，UE =2.2V，则所用半导体三极管的类型及材料为（ C ）。 A. NPN硅 B. NPN锗 C. PNP硅 D. PNP锗 5.场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指（UGS ）一定时，（ iD ）与（ uDS ）之间的关系曲线，它可划分为 （可变电阻区 ）、（恒流 区 ）和（截止区 ）三个区域。 作业及练习 6. 求 UA0 =? P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍保持不变，呈恒流特性。 ID 保持UGS =5V不变，UDS继续增加使得:UGD=UGS(th) 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 综合以上分析可画出ID-UDS图 B UGS=5V UDS ID UGS-UGS(th) 预夹断后，夹断点向源极方向移动，沟道的长度略有减小，相应的沟道电阻略有减小，结果漏极电路稍有增大。 3、 N沟道增强型MOS管的特性曲线 ID U DS 0 UGS UGS(th) 输出特性曲线 非饱和区(可变电阻区） A C D E F UDS=10V UGS(th) =2V UGS=5V 饱和区，放大区 UGS=4V UGS=3V 截止区 UGS=6V UGS=7V UGS=2V 当UDS 固定，UGS大小变化时，ID大小变化，实现输入电压控制输出电流。 所以N沟EMOS管也为电压控制器件。 B 0 ID UGS UGS(th) 4. N沟EMOS管转移特性曲线 F A B C D E UDS=10V N P P G S D G S D 5. P 沟道增强型(PEM0S) 电路符号 l W 将有空穴产生导电沟 N 沟道耗尽型 P N N G S D G S D 二、 N沟道耗尽型MOS管 1、耗尽型MOS管（NDMOS） 预埋了N导电沟道 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 2、特性曲线： NDMOS管UGS=0时就