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电力电子技术 第7讲 2 电力电子器件（5） 电力电子器件(5) 本讲是 第2章 电力电子器件 的第5讲，上4讲的主要内容是： 2.1 电力电子器件概述 2.2 电力二极管 2.3 晶闸管 2.3.1 (普通）晶闸管(SCR) 2.3.2 门极可关断晶闸管(GTO) 2.4 晶体管 2.4.1 电力晶体管(GTR) 2.4.2 电力场效应晶体管(P.MOSFET) 2.4.3 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 本讲将学习的内容： 2.5 其它新型电力电子器件 哈尔滨工业大学远程教育 哈尔滨工业大学远程教育 文件: 电力电子技术07.2 电力电子技术 电力电子器件(5) 2.5 其它新型电力电子器件 MOS控制晶闸管MCT MCT （MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合 高输入阻抗 MOSFET 低驱动功率 快速开关过程 MOS控制 MOS控制 晶闸管 晶闸管 晶闸管 高电压大电流 低导通压降 MCT结合了二者的优点： 其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值， 未能投入实际应用。 哈尔滨工业大学远程教育 哈尔滨工业大学远程教育 文件: 电力电子技术07.3 电力电子技术 电力电子器件(5) 静电感应晶体管SIT SIT （Static Induction Transistor）——结型场效应晶体管 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大 ，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域 获得应用。 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太 方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广 泛应用。 哈尔滨工业大学远程教育 哈尔滨工业大学远程教育 文件: 电力电子技术07.4 电力电子技术 电力电子器件(5) 静电感应晶闸管SITH SITH （Static Induction Thyristor）——场控晶闸管 （Field Controlled Thyristor—FCT） SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通 流能力强。 其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。 SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。此外，电流关断增益较小 ，因而其应用范围还有待拓展。 哈尔滨工业大学远程教育 哈尔滨工业大学远程教育 文件: 电力电子技术07.5