硅基GaN功率半导体技术.pdfVIP

第46卷第 12期 电力 电子技术 Vo1．46，No．12 2012年 12月 PowerElectronics December2012 硅基 GaN功率半导体技术 周 琦 ，陈万军 ，张 波 (电子科技大学，电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) 摘要 ：宽禁带半导体氮化镓 (GaN)器件具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点 ，针对未来功率 电子应 用 ，GaN器件具有传统si材料器件所不可比拟的优势。si基GaN(GaN．on．Si)功率半导体技术由于使用 si衬 底材料 ，可在大直径硅晶圆上外延 GaN且具有与传统si工艺兼容等优势，成为未来功率半导体技术发展的理 想选择。在此从 GaN-on-Si功率半导体所涉及的GaN外延技术、器件耐压优化、增强型器件技术、电流崩塌效 应 、si工艺兼容、功率集成、器件可靠性等多个方面报道了GaN．on．Si功率半导体技术的最新研究进展 ，并分析 了GaN．on．Si功率半导体技术未来面临的机遇与挑战。 关键词：半导体 ：功率器件 ：功率集成 中图分类号：TN32 文献标识码 ：A 文章编号：1000—100X(2012)12—0022—12 GaN-on-SiPowerSemiconductorTechnology ZHOUQi，CHENWan-jun，ZHANGBo (StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices， UniversityofElectronciScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，hCina) Abstract：Owingtotheuniquelysuperiormaterialpropertiesfortheapplicationsofhighvoltage，high speed，highpow— erdensity，high powerefficiency，thewidebandgap GaN hasattracted tremendousattention recently．By featuringhte advantageof low—costattributestothecheap Sisubstrate，hteavailabilityoflargediameterSisubstrateandSiprocess compatibleGaN-on—Sipowersemiconductortechnologyisapromisingcandidateofrfuturepowerelectronics．Thispaper reviewshterecentprogress in GaN—on—SipowersemiconductorincludingGaN epitaxy，breakdown voltage enhance— ment，enhancement-modeGaN powerdevice，currentcollapse，Sicompatibleprocess，powerintegrationand devicereli- ability．TheopportunitiesandchallengesofGaN—on—Sitechnologyforfuturepowerelectronicsarealsodiscussed． Keywords：semiconducotr；powerdevice；powerintegration FoundationProject：SupportedbyStateKeyProgram ofNationalNaturalScienceofChina(No；National NaturalScienceFoundationofChina(No 1 引 言