模拟电子技术(第1章).pptVIP

讨论 场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称为单极型晶体管。 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 漏-源电压对漏极电流的影响 输出特性 2. 绝缘栅型场效应管 转移特性 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型MOS管 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 1.3 晶体三极管 晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之 为双极性晶体管，又称为半导体三极管，以下简称晶体管。常见晶 体管外形有： 小功率管 小功率管 中功率管 大功率管 1.3.1 晶体管的结构及类型 根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成 两个PN结，就构成晶体管。采用平面工艺制成的NPN型硅材料晶体 管的结构示意图如图所示： 多子浓度高 多子浓度很 低，且很薄 面积大 1.3.2 晶体管的电流放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理。 基本放大电路如图所示： 为输入电压信号，接入基极-发射极回路，称为输入回路。 放大后的信号在集电极-发射极回路， 称为输出回路。 由于发射极是两个回路的公共端，故 称该电路为共射放大电路。 使晶体管工作在放大状态的外部条件是： 集电结反向偏置， 发射结正向偏置。 晶体管的放大作用表现为 小的基极电流可以控制大 的集电极电流。 1、晶体管内部载流子的运动 当上图示电路中的 时，晶体管内部载流子的运动示意图如图 所示： 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 少数载流子的运动 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动 形成集电极电流IC。 2、晶体管的电流分配关系 设由发射区向基区扩散所形成的电子 电流为IEN，基区向发射区扩散所形成 的空穴电流为IEP，基区内复合运动所 形成的电流为IBN，基区内非平衡少子 （即发射区扩散到基区但未被复合的 自由电子）漂移至集电区所形成的电 流为ICBO，则： 从外部看： 3、晶体管的共射电流放大系数 电流ICN与IB之比称为共射直流电流放大系数 穿透电流 整理可得： 穿透电流的物理意义是当基极开路（IB = 0）时，在集电极电源VCC 作用下的集电极与发射极之间形成的电流，而ICBO是发射极开路时， 集电结的反向饱和电流。 一般情况下，IB ICBO， 所以： 共射交流电流放大系数β 当以发射极电流作为输入电流，以集电极电流作为输出电流时，电 流ICN与IE之比称为共基直流电流放大系数 整理可得： 共基交流电流放大系数α定义为集电极电流变化量与发射极电流变 化量之比，根据ΔiE 、 ΔiB 和ΔiC 的关系可得： 通常： 可以得到 与 的关系，即 或 故： 而且与 相同， 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 晶体管的输入特性和输出特性曲线描述各电极之间电压、电流的关 系，用于对晶体管的性能、参数和晶体管电路的分析估算。 1、输入特性曲线 输入特性曲线描述管压降UCE一定的情况 下，基极电流iB与发射结压降 uBE 之间的 函数关系，即 为什么UCE增大曲线右移？ 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 2、输出特性曲线 输出特性曲线描述基极电流IB为一常量时，集电极电流 iC与管压降 uCE 之间的函数关系，即 放大区 饱和区 截止区 对应于一个IB就有一条 iC 随 uCE 变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随 uCE变化很大？为什么 进入放大状态曲线几 乎是横轴的平行线？ 3、晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出 回路的电流 iC几乎仅仅决定于输 入回路的电流 iB，即可将输出回 路等效为电流 iB 控制的电流源iC。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜Uon 截止 uCE iC uBE 状态 1.3.4 晶体管的主要参数 1、直流参数 （1）共射直流电流系数 当 时 （2）共射直流电流系数 当 可以忽略时 （3）极间反向电流 ICBO是发射极开路时集电结的反向饱和电流。 ICEO是基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流。 2、交流参数 （1）共射交流电流系数 （2）共射交流电流系数 （3）特征频率fT 由于晶体管中 PN 结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数是 所加信号频率的函数。信号频率高到一定程度时，