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第 卷 第 期 半 导 体 学 报
29 10 犞狅犾.29 犖狅.10
年 月 ,
2008 10 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犗犮狋.2008
蒙特卡罗法单晶硅的腐蚀工艺表面微观形态仿真研究
幸 研 朱 鹏 易 红 汤文成
(东南大学机械工程学院 先进制造技术实验室,南京 211189)
摘要:讨论了基于蒙特卡罗法模拟各向异性腐蚀加工的微观表面形态的仿真方法 应用台阶流动模型,分析了( ,,)晶
. 犺 犽犾
面中( ,,),( ,,),( , ,)以及( ,,)晶面族上反应活跃的台阶部位原子的排列特征,结合微掩模的
犺+2犺犺 犺11 犺+2犺+2犺 犺犺1
作用和定义方法,提出了通过限制各晶面族台阶部位广泛存在的一级、二级邻居数为(,)原子移除概率的方法来模拟快
37
速反应区域的吸附抑制现象 把上述内容应用于 函数对( )面的凸起结构,( )面的带状条纹以及( )面的三角
. 犚犘犉 100 110 111
形凹陷微观结构进行了仿真计算,解释了腐蚀中微观形貌的特征和成因 算法在 种基础晶面和高指数 ( )晶面的计算
. 3 322
结果能够很好地符合实验中观察到的表面形态微观特征,验证了方法的有效性.
关键词:蒙特卡罗;单晶硅;湿法腐蚀;表面形态
:
犈犈犆犃犃 2550犡
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
犗4142 犃 02534177200810202707
整不同的参数 同样 种原子的模型模拟腐蚀工艺无法
. 6
引言 达到精确仿真的目的 研究表面形貌的蒙特卡罗法大都
1 .
基于薄膜生长模型发展而来,方法上采用了 犛狅犾犻犱狅狀
各向异性湿法腐蚀是一项重要的 犕犈犕犛工艺,在 犛狅犾犻犱模型假设,即在深度方向是单值的函数,限制了对
多次掩模的作用下,能够产生复杂的腔体、悬臂梁、针尖 复杂三维结构面的腐蚀计算.
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