碳纤维诱导法制备SiC晶须工艺及机理.pdfVIP

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第35卷第5期 硅酸盐学报 V01.35,No.5 2007年5月 JoURNALOFTHECH卫呵ESECERAMlCSoCIETY May,2007 碳纤维诱导法制备SiC晶须的工艺及机理 黄凤萍,李贺军,卢锦花,李克智,郭领军 (西北工业大学,超高温复合材料重点实验室,碳/碳复合材料工程技术研究中心,西安710072) 摘要:以碳化稻壳为原料、碳纤维为诱导相制备碳化硅晶须。用x射线衍射、电子显微镜分析所制晶须的组成和形貌。结果表明z晶须依附于碳 纤维生长,实现了晶须与反应残余物的自动分离。晶须为纯声一siC晶须,直径为O.5~2岬1,长度为loo~500pm,表面光滑,在晶须中没有发现夹 杂物及球晶,晶须的获得率为100%。晶须尖端平整,未出现催化剂溶球,说明晶须以气相合成机制生长。从热力学角度阐述了晶须气相结晶生长的 机理。 关键词:碳化硅晶须;碳纤维;稻壳;诱导生长 中图分类号:TB332文献标识码:A 文章编号:0454—5“8(2007)Os_o“蛐5 GRoWTHPRoCESSANDM哐CHANISMoFSiCⅥⅢISKERSBYINDUCTIoNoFCARBoNFIBER HUANG Kezhi,GUo Fengptng,uH匈姗,LUJi鸭h¨d,Ll L讧嚼姗 Rc∞鲫ch (C/CC衄posi钯sTe咖olog)r C∞t盯1kKeymorato巧ofUltrahighTem】聊锨聪C啪pos池s, Nomlwest锄Polytedmical Univ粥咄)(i’粗7l0072,Chi㈣ carbon carbonized Abs打a吨Siliconcarbidewhiske塔werebytheilldu_cti∞of ricehlllls鹪rawmaterials. prq,鲫ed fib盯锄d璐ing elec虮m The and ofthe di伍racci∞觚d c唧ositionmorphologywhiske鹞wefe觚alyzedbyX-my microscopy.Theexp咖∞tal resultsshowthattheSiCwhiske挥are内彻edattachedtocarbon the residue fibe侣,锄d孤.ek印tseparate丘om spo咖eously.The di和1曲ersofthewhiskersarc t11e are O.5—.2¨m,姐dl衄鲥bs lOo_一500¨m.W.hiske瑙with蚰瑚Ih如mc骼co嬲istofs缸aig灿声LSiC iIlclusionsa∞foundinme achievableraleofSiCwhiske娼islo(%.111erea坞no bulbson crystals.No whiskers,锄d廿le catalyst the ofmewhiskers.Them∞hanismof is t0thedisc砸sionb船ed∞the 却s whisk髓growIhvaporsynth韶is∽c0砌

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