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国防科学技术大学研究生院学位论文
第三章 EFG 带状硅太阳电池
无论使用 Cz 法(直拉法)或 FZ 法(悬浮区熔法)制备单晶硅太阳电池硅片,还是
使用浇铸法制备多晶硅太阳电池硅片,都要经过切割工序,这个切割工序的直接后果是在
硅片表面留下了切割损伤,为了祛除这个切割损伤,还要使用磨片和刻蚀两道工序来处理
切割损伤。这种做法无形中增加了两种成本,一个是处理成本,另外一个是材料成本。这
显然与追求低成本的光伏技术是矛盾的。如果能避免这个切割工序,那么就可以避免这种
材料浪费和工序成本。带状硅生长技术就是一种直接生成硅片的方法,没有切割工序。在
各种带状硅生长技术中,EFG 法(edge-defined film-fed growth )是主要技术,应用广泛。
§3.1 EFG法的原理
EFG 法(定边喂膜生长法),是美国泰克-拉勃拉-特里芝公司为制造蓝宝石(即氧化
铝)的棒、管和板等型材研究出的一种方法。它作为能直接从硅的熔融液中连续生长,得
到任意形状断面晶体的一种出色方法受到人们的重视。
EFG法是利用毛细管现象来拉伸带状晶体的[14] 。它使用石墨材料做成的毛细管模具,
把这个模具放置在硅的熔融液体中,由于毛细管现象,熔融液上升。如果把籽晶浸到该熔
融液中开始拉引,则熔融液就浸润到毛细管上端。如图 3.1 所示。当熔融液到达模具上端
的外边缘时,由于表面张力的作用,它既不会洒落也不恢复原状,而进行正常的生长。
EFG法的特征在于毛细管模具上端形成的薄膜特性。薄膜的下端被具有浸润性的毛细管模
具牵制,上部被固化了的晶体牵制。
图3.1 EFG 法生长带状晶体硅原理
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国防科学技术大学研究生院学位论文
§3.2 EFG法的特点
1. 由于使用毛细管模具,硅熔融液的表面和晶体生长界面被明显分离。坩埚的温度变化
对晶体生长的影响很小。所以,可以向熔融液里不断的补加原料。
2. 根据毛细管原理,在表面张力作用下,被吸引到模具上端的硅熔融液薄膜保持在模具
边缘上,使晶体生长的断面形状在模具顶端的边缘能被准确、稳定地控制。晶体生长
的形状与原料坩埚的形状无关,仅取决于模具。因此,如果排列放置多个模具,就可
[14]
以同时得到多条晶体 。
3. 可以选用较高的生长速度。
4. 省去了造成原料浪费的切割工序和花费较大的研磨加工等成型工序,可以直接得到希
望尺寸形状的硅片。
§3.3 EFG带状硅片的性质
§3.3.1 结晶性
EFG法拉制的带状晶体硅,不能说是单晶,但它也不是杂乱无章晶粒的结合。稳定生
长的带状晶体硅的结构是由与拉伸方向平行、互相并排的直线状的连续晶界所形成[14] 。
如图 3.2 所示。这种直线状缺陷主要是由双晶体组成,而且其中有些是与位错有关的双晶
体界面。
图3.2 带状硅片的结构
除了双晶体和位错之外,第三种缺陷是渗入到硅带中的SiC颗粒,或者是SiC颗粒的聚
合体[14] 。碳的引入是因为使用了石墨模具。在高温下,当模具材料浸在硅熔融液中时,
碳原子就会缓慢的向硅熔融液中溶解,进而转移到带状硅晶体内部。
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§3.3.2 电特性
带状晶体硅中的缺陷,是由
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