第二章 材料的电学性能(下).pdfVIP

第一节 接触电性 接触电效应，是指两种不同材料接触时引起的与它们未接触 独立存在时不同的电效应。它是相当广泛的一类效应，包括 金属-金属、金属-半导体、金属- 电解液、P型-N型半导体、 金属-氧化物-半导体（MOS）接触等众多的效应。其本质是 第二章材料的电学性能 载流子在不同的物体接触状态下表现出的各种效应。 (1) 金属-金属接触电效应 金属电子的逸出功: 下半部分 E0- 价电子的势能 Ek-价电子的动能，最大为EF 逸出功的实质是金属中电子的能量大小。 (2) 金属-半导体接触电效应 电位升高 电子能级降低 （费米能级） 接触前：逸出功小的电子能量大；反之，电子能量小 接触后：电子从能量大的状态向能量较低处过渡，两金属费米能级 持平，并且形成内建电场阻止电子进一步的扩散。 半导体的表面势：在外加电场的作用下，半导体表面的载流子 发生再分布，从而导致表面能发生不同程度以及不同方向的弯 曲，由此产生表面势Vs 。 图（a ）中：Ec为半导体导带低; Ev为价带顶 当 ＞ 半导体中的电子向金属中扩散流动，形成接触点位差 逸出功 电子亲和能：表示要使半导体导 图b接触后，金属与半导体两侧形成两个不同的势垒高度WM与WS 带低的电子逸出体外所需能量。 WM －WS = 肖特基结 (3) 金属-氧化物-半导体接触电效应 第二节 热电性 外加电场VG为加在金属电极G上的电 电位差 电流 压，规定金属电极相对于半导体的欧姆 接触为正偏置时，VG为正。 温度差 热流 电子的运动 （1）第一热电效应-赛贝克效应 当两种不同的导体组成一个闭合回路时，若在两接头处存在温 度差则回路中将有电势及电流产生，这种现象称为赛贝克效应。 理想MOS的空间电荷区 是在外加电场VG 引起的，它 满足三个条件：1）VG=0 时，金属与半导体的费米能