65nm闪存基准电压调整算法的应用和改进.pdf

摘 要 本论文结合Intel上海科技有限公司65nmNOR型闪存的开发项目，在深入 了解闪存基准电压调整算法的基础上，将此理论算法应用于65nm NOR型闪存， 并根据测试中遇到的问题作了一定的改进。 芯片中的基准电压是指在电路中用作电压基准的高稳定度的电压源，它也是 闪存芯片中不可缺少的电路模块，是闪存实现各种操作的基础，例如读写操作都 需要在存储单元的栅极或漏极加上固定大小的电压。随着工艺水平的不断提高， 芯片内部的特性有所不同，并且对基准电压的精度要求也越来越高，所以原有的 基准电压调整算法就不能适用于65nm的闪存。这就要求在原有算法的基础上根 据新工艺的一些特性进行一定的创新和改进。本文从NOR型闪存最基本的写入 机制入手，详细研究原有算法的每一个步骤，掌握原有算法的关键所在，然后通 过大量的实验数据得到与65nm工艺相关的一些特性指标，如写入特性曲线的斜 率等，根据这些新的特性参数对算法进行调整，使其能适用于65nm的工艺水平。 一个好的算法必须要能通过大规模量产的检验，即要满足量产的一些要求， 如测试良品率至少要控制在99％以