In掺杂对化学共沉淀法合成的SnO2粉体Zeta电位的影响.pdfVIP

第 38卷 第 6期 人 工 晶 体 学 报 V01．38 No．6 December．2009 2009年 12月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRY EffectofInDopingon ZetaPotentials ofTinOxidePowdersSynthesized byChemicalCoprecipitationM ethod HUXue-bing ．ZHOUJian．er1，XUXi。。．yong ，WANG Yong—qing’，ZHANGXiao-zhen (1．universityKeyLab。rat0ry。fInorganicMembraneinJiangxiProvince，JingdezhenCeramicInstitute，Jingdezhen333oo1，chin 2．PingxiangCollege，Pingxiang337055，China) (Received13January2009) Abstract：In．dopedtin oxidepowderswerepreparedbyachemicalcopreeipitation processusingtm tetrach1oride．indium trichl0rideandammoniaasraw materials．ThepropertiesofSnO2一basedpowders dopedwithInwerestudiedsystematicallybyX—raydiffraction (XRD)andZetapotentialanalyzer·The resu1tsshowedZetap0tentialofIn．d叩edSnO2powdersisthelowestwhenthefractionofIn。dopedis2 mol％．ComparedwiththepureSnO2，thepresenceofthedopantaltersslightlythecrystalcellparamete ofSnO2andincreasessignificantlyitscrystalcellvolume· Keywords：tinoxidepowders；In-doped；Zetapotential；crystalcellvolume CLCnumber：TQ174 Documentcode：A ArticleID：1000-985X(2009)06—1485-04 In掺杂对化学共沉淀法合成的SnO：粉体 Zeta电位的影响 胡学兵 ，周健儿 ，徐小勇 ，汪永清 ，张小珍 (1．景德镇陶瓷学院江西省高等学校无机膜重点实验室，景德镇 333001；2．萍乡高等专科学校，萍乡337055) 摘要：以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料，采用化学共沉淀法制备了In掺杂sn0 粉体。实验采用XRD和zeta电 位分析仪对 In掺杂snO：粉体的物化性能进行了研究。结果表明：当In掺杂浓度为2Inol％时，掺杂Sn0z粉体具 有较低的zet电位。相对于纯SnO 粉体，ln掺杂改变了SnO：的晶胞参数并增大了其晶胞体积。 关键词：SnO 粉体；In掺杂；Zeta电位 ；晶胞体积 1 Introduction Theusage。fdopantst0 c。ntrolsurfaceprope