SiO2添加物对CaCu3Ti4O12陶瓷的微观结构与介电性能的影响.pdfVIP

第38卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 V01．38 No．6 2009年 12月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS December．2009 SiO2添加物对 CaCu3Ti4O12陶瓷的 微观结构与介 电性能的影响 李 旺，巩会玲，刘 宇，刘兵发，刘桂华，杜国平 (南昌大学材料科学与工程学院，南昌330031) 摘要：采用传统固相反应法制备了不同SiO 掺量的CaCuTiO (CCTO)陶瓷材料，并研究了SiO 含量对CCTO陶 瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响。结果表明：高温烧结时，SiO：不会与CCTO发生固相反应，而作为第二 相物质存在于CCTO陶瓷的晶界 ，并对CCTO陶瓷的微观结构产生不同程度的影响。CCTO陶瓷的介电常数和介电 损耗随SiO：含量的增多而相应减小。阻抗分析表明，CCTO陶瓷的晶粒电阻随SiO 的掺入略有改变，而晶界电阻 则随SiO 的掺入而显著增大。分析认为，晶界电阻的增大是导致CCTO陶瓷介电损耗降低的主要原因。 关键词：CaCuTiO，；SiO2添加物；介电性能；微观结构；物相结构 中图分类号：TQ28 文献标识码：A 文章编号：lOOO-985x(2009)06—1365-05 InfluenceofSiO2Additiveson theMicrostructureandDielectric PropertiesofCaCu3Ti4012Ceramics L／Wang，GONGHui—ling，LIUYu，LIUBing-fa，LIUGui—hua，DUGuo-ping (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，NanchangUniversity，Nanehang330031，China) (Received5Mawh2009，accepted20March2009) Abstract：CaCu3Ti4Ol2(CCTO)ceramicswiththeadditionofSiO2werefabricatedbytheconventional solid-statereactionmethod．Thephasestructure，microsturctureandthedielectricpropertiesoftheCCTO ceramicswithdifferentweightpercentagesofSiO2wereinvestigated．Therewasnosolid—statereaction betweenCCTO andSiO2atthesinteringtemperature，andtheSiO2additiveswereobservedtobepresent attheCCTOgrainboundaries．ItwasofundthattheadditionofSiO2influencedthemicrostructureand dielectricpropertiesoftheCCTO ceramics．Thedielectricconstantand losstangentdecreasedwith the increasingcontentofSiO2．Impedancespectroscopyshowedthatthergainboundaryresistanceincreased duetotheadditionofSiO2toCCTO，which shouldbemainreasonforthedecreaseinthelosstangentof theCCTO ceramics． Keywords：CaCu3Ti4O12；SiO2additives；dielectricprop