YAG∶Ce^3＋ 发光粉的粒度与LED匹配性.pdfVIP

第30卷 第6期 发 光 学 报 Vo1．30 No．6 2009年 12月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Dec．，2009 文章编号：1000-7032【2009)06-0782-05 YAG：Ce3+发光粉的粒度与LED匹配性 张瑞西 ，王海波 ，林海凤 ，谢 晔 (1．南京工业大学 材料科学与工程学院，江苏南京 210009； 2．南京工业大学 电光源材料研究所，江苏 南京 210015) 摘要：研究了不同粒度的YAG：Ce 发光粉对LED亮度的影响，结果显示：粒度越大，封装后LED亮度越高； 造成这种结果的主要原因是发光粉颗粒的晶格完整性不同。计算了发光粉在硅胶中的沉降速度，数据说明 粒度越大，沉降速度越快，也就越不利于点胶。综合以上两个方面的结果认为发光粉的颗粒不宜太粗或太 细，而且分布应该尽可能的窄，10—20 m是粒径的理想范围。 关 键 词：发光二极管；YAG：Ce¨；粒度；匹配性 中图分类号：0482．31 PACS：78．55．Hz PACC：7855 文献标识码 ：A 不同的粒度、激发波长、发射波长如何与芯片匹配 1 引 言 才能得到最佳结果，尚未见到公开报道，各 LED 近年来，随着 LED的迅速发展，它正在 以新 生产厂家也没有这方面系统研究的报道。本文就 型固体光源的角色从传统的显示领域逐步向照明 不同粒度发光粉对封装后发光强度的影响进行了 领域进军。与传统光源相比，半导体光源有节能、 研究，得到了一些对实际应用有益的结果。 高效、体积小、寿命长、响应速度快、驱动电压低、 2 实 验 抗震动等优点。随着其价格的不断降低，发光亮 度的不断提高，半导体光源在照明领域中展现了 本实验选取了两种方法制备的5份发光粉， 广泛的应用前景。 其中1一3为直接还原法，4和5为二次还原法， 白光LED的核心技术是利用半导体的p-n 经过粉碎分级，获得了不同粒度的YAG：Ce¨样 结发光。目前，实现白光主要三种方法：一是发光 品。对发光粉测试的指标有：平均粒度、粒度分 粉转换法，用 GaN蓝光芯片激发YAG：Ce¨黄色 布、激发光谱、发射光谱和发光色坐标等。 发光粉实现 白光是 目前应用最多的方法；二是多 表 1 YAG：Ce¨发光粉的技术参数 基色芯片组合法，如用红、绿、蓝三基色LED芯片 Table1 TechnicalparametersofYAG：Ce phosphor 组合生成 白光；三是多量子阱法，在ZnSe单晶基 编号 Oso／m )蚰／mDlo／ganA ／nmA ／nm 色坐标(，，，) 片上形成发蓝光的 (zn，cd)se薄膜，工作时， 1 40．48 66．77 24．85 462 555 0．4441，0．5378 (Zn，ca)Se薄膜发射蓝光，同时部分蓝光被ZnSe 2 33．02 61．58 4．36 462 556 0．4465，0．5351 基片吸收，激发基片发射出宽带黄光，混合后形成 3 6．71 15．33 2．32 462 559 0．4482．0．5374 4 36．26 57．69 22．93 462 553 0．4343．0．5457 白光，这种方法较为简单，但是还不成熟，有很多 5 l0．61 33．40 3．47 462