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第38卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．38 No．6 2009年 12月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS December．2oo9 VHF—PECVD沉积本征微晶硅薄膜激活能特性研究 陈庆东 ，王俊平 ，李 洁 ，张宇翔 ，卢景霄 (1．滨州学院物理与电子科学系，滨州 256600；2．郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州450052) 摘要：采用激活能测试装置测量VHF—PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜，并对不同晶化率的样品和不同沉积功 率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究。结果表明：在非晶一微晶相变域附近，激活能随 着晶化率的升高而降低；随着沉积功率的增大和沉积气压的增大，沉积速率提高，样品的激活能升高，通过提高沉 积功率和沉积气压可以有效的抑制氧污染。 关键词：VHF—PECVD；微晶硅；激活能 中图分类号：TN304．1+2 文献标识码：A 文章编号：1000—985X(2009)06—1424-05 InvestigationonActivationEnergyofIntrinsicM icrocrystalline SiliconThinFilmsDepositedbyVHF·PECVD CHENQing—dong，WANGJun-ping，LIfie，ZHANG 一xiang，LUring．xiao (1．DepartmentofPhysicsandElectronicsScience，BinzhouCollege，Binzhou256600，China； 2．KeyLaboratoryofMaterialPhysics，MinistryofEducation，ZhengzhouUniversity，Zhengzhou450052， China) (Received26December2008，accepted11March2009) Abstract：IntrinsicmicrocrystallinesiliconthinfilmsweredepositedbyVHF-PECVD，theactivationenergyof thinfilmsweremeasured by activation energytesting equipment．The activation eneryg ofsampleswith differentcrystallinevolumefractionspreparedatdifferentpowerand differentpressurewerestudied．The resultsshowedthattheactivationeneryg ofsamplesdepositedatamorphous／nficrocrystallinetransition zone decreasedasthecrystallinevolumefractionsincreasing．Asthedepo sitingpowerandpressureincreasing the ， depositingratesnad activation eneryg werealso increased．As aresult，oxygen contamination couldbe suppressedbyincreasingdepositingratesusingrelativelyhigherpowerandpressure． Keywords：VHF—PECVD；microcrystallinesilicon；activationenergy