在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究.pdfVIP

第 24 卷 　第 9 期 光 　学 　学 　报 Vol . 24 ,No . 9 　　　　　　　　 　　　　 　　　　　　　　　　　　 2004 年 9 月 ACTA OPTICA SINICA September , 2004 ( ) 文章编号 : 2004 0912794 在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究 郜定山　李建光 　王红杰 　安俊明　李 　健 　韩培德 　胡雄伟 ( 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 , 北京 100083) 摘要 : 　用火焰水解和高温烧结的方法在单晶硅基片上制备了厚 SiO 和 B O P O SiO 光波导包层材料 。并用扫 2 2 3 2 5 2 ( ) ( ) 描电镜 SEM 和 X 射线粉末衍射 XRD 方法对其微观形貌和物相结构进行了观察和检测 。重点对硅基片上沉积厚 SiO2 时的龟裂和析晶问题进行了深入研究 。从扫描电镜照片可以看出 ,火焰水解法形成的 SiO2 粉末呈多孔的蜂窝 状结构 。这种粉末具有很高的比表面积 , 因而很容易烧结成玻璃 。X 射线衍射图谱表明 ,这种粉末是完全非晶态 的。经过烧结以后 ,从扫描电镜照片可以明显看出硅基片上的 SiO2 薄膜出现龟裂 。同时 ,X 射线衍射测试结果表 明有少量 SiO 析晶。而通过在 SiO 中掺入 B O 、P O ,上述龟裂和析晶完全消失 。用这种工艺制备的 SiO 波导包 2 2 2 3 2 5 2 μ 层材料厚度达到20 m 以上 ,表面光滑 、没有龟裂 ,而且是完全玻璃态的 ,可以用于制备性能优良的各种硅基二氧化 硅波导器件 。 关键词 : 　光学材料 ; 光波导材料 ; 二氧化硅 ; 火焰水解 ; 龟裂 ; 析晶 中图分类号 : TN252 　　　文献标识码 : A Re s e a r c h o n t h e D ep osi t i o n of Thi c k Sili c a o n Sili c o n S u b s t r a t e b y Fl a m e Hy d r ol ysi s D ep osi t i o n Gao Dingshan 　Li J ianguang 　Wang Hongj ie 　An J unming 　Li J ian 　Han Peide 　Hu Xiongw ei ( Resea rch a n d Develop ment