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DOI :10 ． 13290 /j ． cnki． bdtjs． 20 14 ． 02 ． 0 11
氧分压对磁控溅射制备 IGZO 薄膜光电特性的影响
1，2 1 2 1，2
， ， ，
吴海波 董承远 林世宏 吴娟
(1. ， 200093 ;
上海交通大学电信与电气工程学院 上海
2. ( ) ， 215300)
龙腾光电 昆山 有限公司 江苏昆山
: (IGZO) ，
摘要 通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌 薄膜 为了研究不同氧分
IGZO ， 0 ，0. 0 15 ，0. 06 0. 24 Pa
压对 薄膜结构及光电特性的影响 在不同的氧分压 和 下制备了不
。 、 、 、X
同样品 样品的沉积速率 成分结构 面电阻及光电性质分别用椭偏仪 射线光电子能谱
(XPS) 。 ， ，IGZO
和四点探针等方法进行了测量 实验结果表明 随着氧分压的增大 薄膜的沉积速
， IGZO (In∶ Ga∶ Zn) ，
率呈下降趋势 不同氧分压的 薄膜的元素比例 差异不大 在可见光的范围
0 Pa ，IGZO 80% ， 。
内其氧分压为 以上时 薄膜平均透过率均超过 阻值随氧分压的增加而增大 制
IGZO ， 5. 93 ～ 9. 42 cm2 ·V － 1 ·s － 1 ，
作了不同氧分压以 为沟道层的薄膜晶体管 其迁移率为 阈值
电压为3. 8 ～ 9. 2 V 。
: (IGZO) ; (TFT); ; ;
关键词 氧化铟镓锌 薄膜
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