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　第 20 卷第 12 期 半　导　体　学　报 . 20, . 12 V o l N o 　1999 年 12 月 . , 1999 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S D ec 硅中的氮氧复合物及其施主行为 刘培东　张锦心　李立本　阙端麟 (浙江大学硅材料科学国家重点实验室　杭州　3 10027 浙江半导体技术有限责任公司　杭州　3 10027) 摘要　含氮CZ 硅的电学性能完全有别于含氮的FZ 硅和无氮的CZ 硅, 研究表明, 含氮CZ 硅能 形成一种与氮有关的新施主, 它随氮氧复合物的形成而形成, 随氮氧复合物的消失而消失. 文章 进一步研究了氮—新施主的结构模型, 并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行 了探讨. : 6 170 , 6 170 , 7280 PACC R A C 1　引言 近年来, 硅中的氮行为引起了研究者极大的兴趣, 其原因来自两个方面. 第一、氮保护气 氛下, 直拉硅单晶的研究成功并大量投入生产, 其应用前景十分广阔. 第二、在理论上, 通过 对氮的行为的研究, 有利于我们更深入地研究硅中的碳和氧的行为以及它们的相互作用, 从 而揭示几十年来人们一直争论不休的有关热施主和新施主的本质. 硅中的氧在 300～ 500 ℃的热历史中会产生热施主(TD ) , 它引起材料的电阻率的漂移, 氩气氛直拉硅一般在 650 ℃下, 20 以上的热处理就能将热施主去除, 但氮保护气氛下生 m in [ 1, 2 ] 长的直拉硅 由于氮的引入, 材料的电学性能发生了很大的改变, 杨德仁 等人发现经 650 ℃下电阻率稳定化处理后的含氮 硅( ) , 在随后的800 ℃以上的热处理时, 型 CZ N CZ Si N 样品电阻率上升, P 型样品电阻率下降, 杨德仁等人[ 1, 2 ] 把它归于N CZ Si 中热受主的形成. [3 ] 张溪文等人 则认为N CZ Si 中会产生一种热施主,N 型样品电阻率上升, P 型样品电阻率 下降则与这种热施主的消失有关. ( ) 硅中的氮主要以氮对的形式存在, 只有少量的氮 1% 以代位氮的形式出现, 因此, 氮 是V A 中唯一没有浅施主特性的元素, F Z Si 中的氮几乎无电活性. 为弄清CZ 硅中氮的电 活性的来源及其本质, 以及形成和消除情况, 本文进行较为详尽的探讨. 　　刘培东　男, 1963 年出生, 高级工程师, 现从事硅材料研究与生产 张锦心　女, 1943 年出生, 高级工程师, 现从事硅材料研究与生产 阙端麟　男, 1928 年出生, 教授, 中国科学院院士, 博士生导师, 现从事硅材料科学与技术的研究 收到,定稿 12 期 刘培东等: 　硅中的氮氧复合物及其施主行为