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一种结构简单的 CMOS 带隙基准电压源设计 1+ 2+ 3+ 周晏 ,蒋林 ,曾泽沧 （西安邮电学院 陕西 西安 710061） Abstract : This paper proposes a precise CMOS bandgap voltage reference with high power supply rejection ratio (PSRR). The voltage supply is 3.3V. Using CSMC 0.5 um CMOS process, Spectre simulation -6 shows that the average temperature coefficient is 45.53×10 /℃ in the rage of -40 ～80℃. The circuit also has change small when power supply voltage changes from 2 ～5V. The PSRR is the -73.3dB. Key words: bandgap; power supply rejection ratio; temperature coefficient 摘 要: 本文提出了一种结构简单高电源抑制比的 CMOS 带隙基准电压 源，供电电源 3.3V 。采用 CSMC 0.5um CMOS 工艺。Spectre 仿真结果表 明，基准输出电压在温度为-40～+80℃时，温度系数为 45.53×10-6/℃， 输出电压在电源电压为 2～5V 范围内变化小。电源抑制比达到-73.3dB。 关键词: 带隙基准; 电源抑制比;温度系数 文献标识码: A 中图法分类号: TN432 1 引言 随着集成电路工艺和设计水平的发展，在模/数转换器(ADC)、数/模 转换器(DAC)等混合信号集成电路设计中,高性能的电压基准源设计已成 为关键技术之一 [1] 。带隙基准源具有以下优点：与标准CMOS工艺完全兼 容，可以工作于低电源电压下，温度漂移、噪声和PSRR等性能能够满足 大部分系统的要求[4] 。本文基于传统带隙电压基准源原理，采用电流反馈、 一级温度补偿等技术，并在电路中加入了启动电路，完成了一个高精度的 带隙基准电压源的前端设计。所设计电路在CSMC 0. 5um CMOS工艺条件 下进行了模拟和仿真。仿真结果表明，基准输出电压在温度为-40～80℃ 时，温度系数为45.53×10-6/ ℃，在电源电压为2 ～5V 内，电源抑制高达 -73.3dB 。 2 CMOS 带隙基准电压源电路结构 所设计Bandgap主要由启动电路，基准核心电路，输出反馈电路构成， 以下分别予以讨论。 * Received 2007-03, Accepted 2008-03. 周晏 蒋林: 一种结构简单的 CMOS 带隙基准电压源设计 2 I I 1 2 输出反馈电路 基准核心电路 启动电路 图1 CMOS带隙电压基准源电路 2.1 启动电路 为了使电路可以稳定工作，需要一个启动电路来使电路摆脱每个管 子都关断的零工作状态。在图1中，当电路处于零工作状态时，M5 、M6 导通，在电源电压作用下，使M 、M 组成的反向器导通，从而使M 开启， 9 8