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第 卷 第 期 半 导 体 学 报
年 月
岛基光子晶体单点缺陷腔的
数值模拟与分析
唐海侠 王启明
中国科学院半导体研究所北京
摘要阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高 纳米岛发光效率的机理 通过 方法计算出在平
板厚度为 时谐振波长随 和 变化的规律即当给定 时波长随晶格常数成次线性增加当给定
时波长随 的增加而减小 并从理论上给予分析
关键词光子晶体单缺陷腔 岛
中图分类号 文献标识码 文章编号
渐认识到了光子晶体的重要用途 它具有类似于半
引言 导体能带的光子禁带 在光子禁带频率范围
内的光无法传播 若在光子晶体中引入缺陷就会在
在 基集成光电子学的发展中高效的 基光 中引入频率极窄的缺陷态从而可以控制光的
源是人们不懈追求的目标 但由于 属于间接带隙 传播行为 如果在 纳米岛材料上制作光子晶
结构材料导带的最小值和价带的最大值不在 空 体单点缺陷腔结构利用点缺陷对发射光的定域功
间同一位置要实现发光跃迁必须同时满足能量守
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