铁酸铋基半导体陶瓷材料电阻率与热电性能与研究.pdfVIP

铁酸铋基半导体陶瓷材料的电阻率与热电性能的研究 赵 琨 2006 级物理学基地班 20061001179 （山东大学物理学院，山东 济南，250100 ） 摘 要：采用传统固相烧结法分别制备了纯铁酸铋、10%铋过 量的铁酸铋半导体陶瓷材料和不同元素掺杂改性的铁酸铋基杂质半 导体陶瓷材料，研究了不同的掺杂改性对铁酸铋基陶瓷材料在常温下 的直流电阻的影响。实验结果表明，少量钙的掺杂取代最大程度的减 小了铁酸铋基陶瓷材料的直流电阻率。同时可以看出，少量钙的掺杂 并没有使晶格发生畸变，没有改变陶瓷的微观结构，并且对晶界势垒、 电导激活能的影响较小，但是却可以使其直流电阻率大大减小，从而 极大的改善了铁酸铋基陶瓷材料的热电性能。为进一步探究其热电性 能，选择（Bi0.96Ca0.04 ）FeO3 陶瓷，研究了其物相结构、直流电阻率 及热电参数随温度的变化规律，并获得了最佳的热电性能。实验结果 表明，（Bi0.96Ca0.04 ）FeO3 陶瓷的Seebeck 系数在一定的温度范围内变 化很小，保持在530 μV K-1 左右。在510 ℃时，（Bi0.96Ca0.04 ）FeO3 -1 陶瓷的电阻率达到最小，同时功率因子达到最大值，为14.2 μW m K-2 。本论文中首次报道了铁酸铋基陶瓷材料的热电性能，其最佳适 -1 -2 用温度为510 ℃，最佳的热电性能为功率因子达到14.2 μW m K 。 为进一步认识铁酸铋基陶瓷材料做出了一定的探索，填补了该领域研 究的一项空白，可进一步研究扩大其应用领域，提高应用价值。 关键词：铁酸铋，半导体陶瓷，电阻率，热电性能 第 1 页 共 26 页 中图分类号：O482.6 Research on electrical resistivity and thermoelectric properties of bismuth ferric based semiconductive ceramic materials Zhao Kun (School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China) Abstract: Pure bismuth ferric, 10% excess of bismuth of the bismuth ferric semiconductor ceramic materials and different elements of the doped bismuth ferric based impurity semiconductor ceramic materials were prepared by the traditional solid-phase sintering. The effects on DC resistance at room temperature of different doping modification of the doped bismuth ferric based impurity semiconductor ceramic materials were studied. The Experimental results show that a small amount of calcium doping reduced the