半导体InP的高能重离子辐照效应研究.pdfVIP

　第 19 卷第 1 期　　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　 　　　 . 19, . 1　 V o l N o 　1998 年 1 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　Jan. , 1998　 半导体 InP 的高能重离子辐照效应研究 胡新文　王少阶　陈志权　李世清 (武汉大学物理系　武汉　430072) 侯民东 ( 中国科学院兰州近代物理研究所　兰州　730000) 摘要　本文利用 500 的 离子对掺 的 的半导体进行了辐照, 并且 M eV N e Zn InP M onte Carlo 模拟及正电子湮没技术研究了辐照产生的缺陷. 模拟计算结果表明, 注入的N e 的离子及辐照 产生的缺陷均主要集中在离子射程末端, 由正电子寿命测量结果可知, 在低剂量辐照时, 产生 的空位为单空位, 当辐照齐量增大时, 单空位由于相互聚合变成双空位及空位团, 随着剂量进 一步增大, 还会形成无序的非晶层. : 7870 , 6170 , 7155 PACC B B 1　引言 半导体中的缺陷是电激活的, 由于缺陷和载流子间的相互作用, 使得缺陷的存在严重影 响半导体的光学和电学性质, 特别是在化合物半导体中, 其原生缺陷浓度常超过残余杂质深 度 1～ 2 个数量级. 除材料制备与各种处理过程可以产生缺陷外, 辐照效应也可以在半导体 中引入缺陷, 从而为研究半导体中的缺陷特性提供了一种有效手段. 人们曾用电子、质子、中 [ 1 ] 子等各种粒子对半导体进行辐照研究. 如 等 用能量为 2. 0 的电子在低温 To rnqvist M eV 下辐照各种 样品, 结果在样品中产生了负离子、 空位和 空位. 其中 型 中的 InP In P n InP In [ 2 ] 空位在 150～ 200K 退火时退掉, 而 P 空位直到 300K 才退出. Yam aguch i 等 也研究了 1 电子辐照 太阳电池导致的缺陷在室温下退火的现象, 并认为 太阳电池比 M eV InP InP Si 或 GaA s 太阳电池有着更好的抗辐照性能. [ 3 ] 近来, 用高能重离子辐照化合物半导体 、 的研究十分