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微型控制器的接口设计问题 4.1 简介 在这一章一些常见的接口微控制器的设计问题电子电路进行了讨论。这些重要的问题是至关重要的一个项目的成功。集电极开路的配置，加载的问题，微控制器横杆的配置，驱动输出负载等几个问题讨论。 4.2 集电极电路配置 在许多情况下，电路的输出是一个集电极开路的配置。“通常是指长期开放集电极晶体管输出。在此配置中保持开放的，即晶体管的集电极，它没有连接到正电源，如图4.1所示。通常的晶体管工作在截止或饱和地区，即作为一个开关。对于正常运作，晶体管的集电极应通过上拉电阻连接到正电源来完成电路。这提供了一个优势，设计师可以拉电阻连接到不同的电压范围。电压等级应高于晶体管的饱和水平。 集电极开路配置的另一个优点是与接口设备不同的电压等级。相反，如果双极结型晶体管（BJT）MOSFET被使用，长期漏极开路常用。电压等级的选择取决于应用程序，它必须在晶体管的允许极限。上拉电阻的值是正确的因此，通过晶体管的电流不超过允许选择限制的晶体管。由于晶体管工作在饱和，目前通过上拉电阻R，以及通过晶体管大约是等于VCC/忽略的集电极到发射极电压下降。典型的价值集电极电流范围为10mA至100mA。如果电流超过允许的限制，晶体管可能会烧坏。在许多情况下，而不是一个上拉电阻，不同类型的负载，如可用于功率继电器，电磁阀，马达，线圈，或白炽灯。一些负载（功率继电器，螺线管，马达，线圈）是感性的性质。通常一个电感负载产生很高的电压尖峰，当开关关闭。 “设计师应该非常小心，而用于这些类型的负载。如果这是不可避免的，晶体管必须从瞬态过电压保护。使用瞬态抑制元件，RC滤波器，无续流二极管并联负载是有益的。另外一个缓冲或通过一个齐纳二极管，晶体管可能很有帮助。这是至关重要的，作为一个单一的瞬态脉冲可能会损坏的晶体管。 在容性负载的情况下，尽管在实践中罕见的，它必须保证浪涌电流不超过最大额定电流的晶体管。如果负载是白炽灯，必须小心，因为它有一个非常高启动电流。灯泡的灯丝发光和阻力落户到稳态值。一般电极开路输出时不建议使用白炽灯集，而使用LED。 4.3 过电压保护单片机 在本节中，我们将讨论一些提示，以保护电子电路，尤其是微控制器，而外部信号接口损害的是超过过压引起，在一些简单的保护装置的帮助下，它有可能增加的EMI（电磁干扰）和静电放电（电静电放电）完整的电路和系统的免疫。平时所有的半导体器件，主要是集成电路，包含内部保护电路，但它是不实际纳入大的保护装置。为外部保护电涌保护提供了一个更高层次。虽然内部知识电涌保护电路，可能有助于在选择外部保护装置用适当的额定功率和关上的电压，数据表通常做没有透露内部保护电路的细节。 外部保护装置的主要功能是限制电流通过IC或微控制器通过降低电涌电压的幅度。这是预计该保护装置将打开内部电路接通之前并吸收浪涌脉冲的全部能量。保护的位置设备是非常重要的，以确定是否是由外部保护电路吸收大部分电涌冲击。印刷电路板的布局（PCB），也是非常重要的保护电路的正常运作。图4.2显示了一个保护二极管阵列电路。为0.7 V值可以用来估计投票外部开关电路的电压。因此，输入信号的电压水平将被限制在-0.7V至VDD+0.7 V。二极管正确的操作应该响应很快。 在许多情况下，典型导通肖特基二极管上的电压，可能为0.3 V，如图4.3所示。在这种情况下，在输入信号的电压水平限制在-0.3V至VDD +0.3 V。 在图4.4所示的电路是另一种处理问题的方式。串联电阻，确保电涌冲击的大部分将消退在外部保护电路。当前，I2流向单片机，是相对非常小的电流I1相比，流向保护设备。保护用二极管阵列引导到电源浪涌电流轨瞬态电压脉冲的能量消耗。如果相关能源瞬态电压脉冲是相当大的，它可能会影响电源轨的电压。去耦电容和雪崩二极管，在电涌效果的影响下可以用来改善电源负载调节。一个高频陶瓷电容约0.01至0.1μF在电源引脚下会降低浪涌脉冲的影响。 如果整个供应使用雪崩二极管的击穿电压比VDD略高，可以实现额外的电涌保护。原理图表示图4.5所示。 4.4 电感式负载开关和保护二极管 在许多情况下，用电感负载，如微控制器开关会产生瞬态电压，电机，电磁阀，继电器多次稳态值。如果我们打开一个提供电流开关的电感器，让我们看看会发生什么。通过电感的电压和电流有一定量的关系：；其中为电感两端的电压为通过电感的电流。 这是不可能突然关闭电流，因为这将意味着一个非常大电压（理想无限）的会出现跨电感的终端。例如，关闭一个12V电磁轻松地创建一个负尖峰约300伏特。如果该设备可以承受这种高电压，设备或系统可以生存。在最坏的情况下，开关的瞬态电压可以摧毁微控制器和半导体器件。在某些情况下，瞬态电压可能会导致计划的失败和快闪记忆体