三氯氢硅合成的探讨.pdfVIP

苎金星全里丝笪堡垒圭￡垫查垒兰兰壁旦兰查±：竺垒圭叁 一一——!! 三氯氢硅合成的探讨 北京有色冶金设计研究总院汤传斌 摘 要 本文用述了siHcl3台成的原理，并从反应i坡、砾料中吉氧和水份、硅糟料层高度厦氯‘魄巍量、硅糟粒度 等几个方面对SiHCI，台成的髟响进行了探讨． 关键词三氯氢硅合露探讨× 1概述 目前，国内外生产多晶硅最广、最主要的方法是西门子法，西门子法生产多晶硅是以SiHCI，为原料， 在国内外多晶硅生产厂家中被引起了广泛的关注，各生产厂家对SiHCI，的合成进行了多方面的研究，并 取得了不少成果。 2 SiHCl3合成的反应原理 在SiHCI，合成沸腾炉内，一定配比的硅粉和HCI主要进行如下的反应： Si+3HCI=SiHCI，+}12+209．341d／mollll 同时．还伴随下列一些副反应： ld／mol[1】 Si+4HCI=SiCk+2H2+240．32 Si+2HCI=SiH2c12(镑t量)Ⅲ 3反应温度对SiHCl3合成的影响 等各种氯硅烷等副产物。s啦Cl，合成反应是放热反应，反应温度对SiHCI，合成的影响较大。温度过低， 也可看出，SiCI。具有高度的对称性，硅原子与氯原子是以共价键结合。生产时反应温度高达600℃以上， 也不会引起热分解。SiHCI，的分子结构是不对称的，硅原子与氢原子近于离子键，不稳定【l】嘲。由于smcb 的热稳定性较差，在400℃开始分解，550C剧烈分解，因此在生产过程中选择适当的反应温度，并将反应 放出的热及时的传出，以保证炉内反应温度稳定，是提高siHcl，产量和收率的有效途径。为求得合适的反 应温度，在生产中进行过多次试验，试验结论认为：温度控制在280-320℃较合适。试验过程中．反应放 出的熟通过温水、热导油或低压蒸汽带走。在实际生产过程中，通过调节温水水套出水阀，控制沸腾炉 的关系见图lIll。 4氧和水份对SiHCl3合成的影响 308 ． 三墼塾竺全垒竺堡苎=二望竺堕 -_______-_●_______-●______-_-—___________-__^_-_-___________--●________________--●_——————————— SiHCl，剐n) s|钆z(11) 0 10 20 ∞ 40 ∞ L 、＼ ∞ 1、70 ∞ ∞ loo 图1反应温度与合成产物中stach含量的关系