表面技术(第8讲 气相沉积技术(Ⅱ)).pdfVIP

南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) • CVD的方法与应用 • CVD法沉积陶瓷涂层 • CVD法沉积超硬涂层 南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 一、 CVD的方法与应用 •化学气相沉积(CVD)：利用气态化合物 或气态化合物的混合物在基底表面上发 生化学反应, 在基底表面上沉积固态薄 膜的工艺技术。 •CVD过程：反应气体进入反应室→到达 基体并吸附在基体表面→在基体表面发 生化学反应→固体生成物成核、生长→ 多余反应产物被排除。 南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 1. CVD技术的分类 • 按激发方式分：热CVD、等离子体CVD、 光激发CVD、激光诱导CVD； • 按反应室气压分：常压CVD、低压CVD； • 按反应温度分：高温CVD、中温CVD、低 温CVD； • 按主要特征分：热激发CVD、低压CVD、 等离子体CVD、激光(诱导)CVD、金属有 机化合物CVD 。 南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 2. CVD的化学反应类型 南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 3. CVD技术主要工艺参数 • 1).温度：由于大多数沉积反应为吸热反应， 提高工艺温度有利于化学气相沉积的进行。 CVD法温度一般在700～1100℃。 • 2).反应物供给及配比：CVD原料选择常温下 是气态物质或具有高蒸气压的液体或固体。 原料气按一定配比混合通入。 • 3).压力：压力影响反应器内热量、质量及动 量传输，因此会影响反应效率、膜质量及膜 厚度的均匀性。 南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 4. CVD技术的优点 • 1)设备简单，操作维护方便，既可制造金属 膜、非金属膜，又制造多种成分的合金膜，并 且能在相当大的范围内控制产物的组分。 • 2)可在常压或低真空状态下镀膜，绕射性好， 形状复杂的工件或工件中的深孔、细孔都能均 匀镀膜。 • 3)涂层与基体之间结合好，在十分恶劣的条件 下使用，涂层也不会脱落。 • 4)涂层致密而均匀，并且容易控制其纯度、结 构和晶粒度。 南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 5. CVD技术的应用 • 1).复合材料制备：CVD法制备的纤维状或晶 须状的沉积物多半用来制造各种复合材料； • 2).微电子学工艺：CVD法制备半导体膜的外 延、p-n结扩散源的形成、介质隔离、扩散掩 膜和金属膜，CVD法制备高纯硅、使半导体 进入了集成化的新时代； • 3).半导体光电技术：CVD法可以制备半导体 激光器、半导体发光器件、光接受器、集成 光路等； 南京航空航天大学 第八讲 气相沉积技术(Ⅱ) 表面技术 • 4).太阳能利用：CVD法是制备太阳能电池最 主要的技术，在硅、砷化镓同质结电池以及 利用Ⅳ- Ⅴ族、Ⅲ-Ⅵ族等半导体制成了多种 异质结太阳能电池 ，如 SiO2 ／Si，GaAs ／ GaAlAs等； • 5).光纤通信：光导纤维是用C